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第三章 半导体中载流子的统计分布 §3.1 状 态 密 度 §3.2 费米能级和载流子统计分布 费米分布函数 波尔兹曼（Boltzmann）分布函数 导带中的电子浓度n0和价带中的空穴浓度p0 载流子的浓度乘积n0p0 §3.3本征半导体载流子浓度 §3.4杂质半导体载流子浓度 § 3.5简并半导体 载流子的产生 在一定温度下。如果没有其它外界作用，半导体中的导电电子和空穴是依靠电子的热激发作用而产生的，电子从不断热振动的晶格中获得一定的能量，就可能从低能量的量子态跃迁到高能量的量子态，例如，电子从价带跃迁到导带(这就是本征激发)，形成导带电子和价带空穴。 电子和空穴也可以通过杂质电离方式产生，当电子从施主能级跃迁到导带时产生导带电子，当电子从价带激发到受主能级时产生价带空穴等。 载流子的复合 与此同时，还存在着相反的过程。即电子也可以从高能量的量子态跃迁到低能量的量子态，并向晶格放出一定能量，从而使导带中的电子和价带中的空穴不断减少，这一过程称为载流子的复合。 在一定温度下这两个相反(载流子的产生与复合)的过程之间将建立起动态平衡，称为热平衡状态。这时．半导体中的导电电子浓度和空穴浓度都保持一个稳定的数值，这种处于热平衡状态下的导电电子和空穴称为热平衡载流子，当温度改变时，破坏了原来的平衡状态，又重新建立起新的平衡状。热平衡载流子浓度也将随之发生变化，达到另一稳定数值。 实践表明，半导体的导电性强烈地随温度而变化。实际上，这种变化主要是由于半导体中载流子浓度随温度而变化所造成的。因此，要深入了解半导体的导电性及其它许多性质。探求半寻体中载流子浓度随温度变化的规律，以及解决如何计算一定温度下半导体的热平衡载流子浓度的问题，这也就是本章所要讨论的中心问题。 为了计算热平衡戴流子浓度以及求得它随温度变化的规律，我们需要两方面的知识：第一，允许的量子态按能量如何分布；第二，电子在允许的量子态中如何分布。 §3.1 状 态 密 度 Density of States 在半导休的导带和价带中，有很多能级存在。但相邻能级间隔很小．约为10-22eV数量级，可以近似认为能级是连续的。因而可将能带分为一个一个能量很小的间隔来处理；假定在能带中能量E到E＋dE之间无限小的能量间隔内有dZ个量子态，状态密度定义 当E-EF》k0T处,量子态为电子占据的概率很小，泡利原理失去作用。 利用 Fermi-Level and Distribution of Carriers Fermi-Level and Distribution of Carriers Fermi-Level and Distribution of Carriers 可以见到：Nc∝T3/2和Nv ∝T3/2 Fermi-Level and Distribution of Carriers （1）当材料一定时，n0、p0随EF和T而变化； （2）当温度T一定时， n0×p0仅仅与本征材料相关。 Fermi-Level and Distribution of Carriers 由下式可知 §3.3 本征半导体的载流子浓度Carriers Density of Intrinsic Semiconductors 本征半导体：满足 n0=p0=ni 的半导体就是本征半导体。 ni= ni（T） 在室温（RT=300K）下： ni （Ge）≌2.4×1013cm-3 ni （Si） ≌1.5×1010cm-3 ni （GaAs） ≌1.6×106cm-3 在热平衡态下，半导体是电中性的： n0=p0 （1） 即得到： Carriers Density of Intrinsic Semiconductors 一般温度下，Si、Ge、GaAs等本征半导体的EF近似在禁带中央Ei，只有温度较高时，EF才会偏离Ei。 但对于某些窄禁带半导体则不然，如InSb： Eg=0.18eV Ei Carriers Density of Intrinsic Semiconductors 由（5）式可以见到： 1、温度一定时，Eg大的材料，ni小；? 2、对同