第14章光刻对准和曝光.pptVIP

集成电路工艺 第一章 半导体产业介绍 集成电路工艺 集成电路工艺 第14章光刻：对准和曝光 目标 解释光刻中对准和曝光的目的 描述光学光刻中光的特性及光源的重要性 解释分辨率，描述它的重要参数并讨论计算方法 论述五代用于对准和曝光的设备 描述投影掩膜版，如果制造，及在精细光刻中的应用 论述用于短波长光刻的光学增强技术 解释光刻中对准是怎样获得的 1.提纲 1.概述 2.光学光刻 3.光刻设备 4.混合和匹配 5.对准和曝光质量测量 1.概述 一个紫外光源 一个光学系统 一块由芯片图形组成的投影掩膜版 一个对准系统 一个覆盖光敏光刻胶的硅片 光刻机 分布重复光刻机(step-and-repeat aligner) 光刻机(aligner) 步进光刻机(stepper) 步进光刻机的目标 使硅片表面和石英掩膜版对准并聚集 通过对光刻胶曝光，把高分辨率的投影掩膜版上图形复制到硅片上 在单位时间内生产出足够多的符合质量规格的硅片 2.光学光刻 光学光刻一直是不断缩小芯片特征尺寸的主要限制因素。 光刻的长命归功于设备和工艺的改进。 光 在光学光刻中，需要一个光源来把版图投影到光刻胶上并引起光化学反应。 光的实质是能被人眼看到的电磁波。 光可用波长和频率来描述。 v=λf 光波的干涉 波本质上是正弦曲线。 任何形式的正弦波只要有相同的频率就能相互干涉。 相长干涉：两列波相位相同彼此相加