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第七章 场致发射显示FED 一、概述 致发射显示（Field Emission Display, FED）是真空微场电子在显示领域的应用 兼有真空电子器件和固体器件的优点： （1）采用薄膜工艺制成场致发射阵列，可在室温下工作 （2）可利用硅集成工艺制造场致发射阵列，其电流密度是氧化物热阴极发射电流密度的100~1000倍 （3）抗辐射能力强，可以工作与极低温的宇宙空间 （4）场致发射阵列可工作与500℃以下的高温 （5）工作频率可高达1000GHz，且可工作与低真空 总之，FED非常适合于军用 FED基本结构和原理 FED中使用的场致发射阵列从工作原理上可分为：金属场致发射、半导体场致发射、热助内场致发射 1．金属表面的场致发射方程 金属表面的场致发射方程在以下假说条件下得出： A、金属内自由电子的能量分布服从费米分布 B、金属板表面是理想平面，忽略其原子尺寸的不规则性 C、表面势垒由电镜像力产生 D、金属表面逸出功分布均匀 T=0K时金属场致发射定量方程为： 对F-N公式作如下代换 2、温度对场致发射的影响 对数处理，可得： 可见当温度从室温增加到1000K，场致发射电流只增加了30% 当外加电场越大，温度的影响越小 发射电流与功函数、电场强度密切相关，所以要获得大的场致发射电流，可以采取降低发射材料逸出功和增加发射体表面电场的方法。 低逸出功材料化学性质活泼，不耐微尖在发射电流