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第三章 现代集成工艺制程 §3-1 当代微电子技术的技术进步 §3-2 当代超深亚微米级层次的技术特征 §3-3 超深亚微米（VDSM）层次下的小尺寸效应 §3-3-1 热载流子退化效应 §3-3-2 短沟道效应 §3-3-3 漏、源穿通效应 §3-4 典型的超深亚微米CMOS制造工艺 §3-5 超深亚微米CMOS工艺技术模块简介 §3-5-1 CMOS体结构中的隔离工艺模块 §3-5-2 CMOS体结构中阱结构形成工艺模块 §3-5-3 CMOS体结构中自对准硅化物形成工艺 §3-5-4 小尺寸MOS器件轻掺杂漏技术 §3-5-5 大规模集成电路多层互连技术 §3-5-6 集成电路互连表面的平坦化技术 * 在过去的二十年中，集成电路制造技术取得了巨大的成就，主要的技术驱动来自集成电路的集成度不断攀升。集成电路集成度的不断攀升，所面临的突出技术瓶颈是集成化器件特征尺寸的下降。小尺寸引发出诸多小尺寸效应，学者们为解决或抑制诸多效应进行了若干研究及工艺尝试，形成了极具超大规模深亚微米层次特征的平面集成工艺技术。 集成电路制造技术发展迅速，突出表现在集成电路的集成度由单位晶圆片器件管芯数小于30（枚）的小规模（SSI-Small Scale Integrate）集成电路增长至器件管芯数为103（枚）的中规模（MSI- Medium Large Scale Integrate）集成电路、器件管芯数为103到105（枚）大规模集成电路（LSI-Large Scale Integrate）和器件管芯数为105（枚）到109的超大规模集成电路（VLSI-Very Large Scale Integrate），乃至今天的甚大规模（ULSI-Ultra Large Scale Integrate-或称之为特大规模集成电路）集成电路。 在较长的一段时间内，ULSI（甚大规模）集成电路面对极高的速度(皮秒级的延时)和低压、超低功耗或称微功耗（对于高密度移动式集成系统，降低功耗是极为重要的。）响应产生出一系列深亚微米（DSM）、甚至进入超深亚微米（VDSM）层次的技术问题[40]。 深亚微米、 超深亚微米（或称之为亚0.1微米）级的图形转换技术（即通常所说的光刻技术。这里之所以称其为图形转换技术，是因为面对深亚微米级的光刻环节，其曝光和刻蚀都分别面对横向效应的制约。），将有常规光、X光或电子束、离子束的无掩模直写技术。每一种技术都有一系列的高层次技术难题需要解决。 超深亚微米（VDSM）层次下的小尺寸效应也被称为超深亚微米MOSFET特征效应。研究超深亚微米、小尺寸效应的过程，就是不断提高超深亚微米集成化MOSFET的特性和电路的集成度的过程。超深亚微米、小尺寸效应正是因为集成化器件的器件体尺寸急剧缩小而引发的。超深亚微米（VDSM）层次下的小尺寸效应主要有： 热载流子退化效应即是前面所提到的热载流子退化-闩锁复合效应（或简称为热电子效应）。 热载流子退化效应是发生在MOS器件的沟道极短的情况下。当器件的沟道长度极短时，而以漏源电压VDS的衡定为前提，使高电位漏端的局部电场急剧增强。称此时获得大量动能的电子为热电子。热电子通过碰撞电离而产生次级电子-空穴对。 集成化器件的小型化是ULSI发展的方向。由于超微细加工技术，特别是高分辨率电子束及X射线直写刻蚀技术的发展，使集成化场效应晶体管的沟道长度已锐减到0.5微米（亚微米）以下，正是这种亚微米尺寸的线条宽度使VLSI（超大规模集成电路）显现出诸多不同于分立器件或大尺寸（由小规模到大规模均属于大尺寸范畴）集成化器件的特征。这是因为，随着沟道长度的减小，沟道区的二维电势分布和强电场使器件工作更为复杂化，并且使器件性能变坏。应当消除这些效应，或使之减至最小，从而使几何上的短沟道器件保持着长沟道器件所应有的特性。短沟道效应主要由以下几个子效应构成：（1）沟道长度调制效应；（2）阈值电压短沟效应；（3）阈值电压窄沟效应；（4）漏极感应势垒降低（DIBL）效应；（5）沟道杂质分布起伏效应； 当漏结的耗尽区连通（即YS +YD =L）时，源和沟道之间的势垒显著地降低，注入沟道的电子浓度n很大，并且以漂移的方式通过源和漏之间的空间电荷区。 §3-3-4 载流子速度饱和效应 迄今为止，我们一直假定沟道电子的迁移率与沿沟道方向的电场ξy无关，即假定沟道内ξy总是比速度饱和的临界场强ξC低的多。事实上，对于一定的漏、源偏压VDS（例如：5V 工作电压标准），随着器件沟道长度L的减小，沿沟道的场强ξy（y）增强，电子迁移率将和ξy有关，其漂移速度甚至饱和。在这种情况下，基于恒定迁移率的电流理论必须进行修正。 这一节，我们将以一款可以代表当代超大规模、超深亚微米层次集成工艺结构特征的典型的