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光电测量中的常用光源 发光二极管的基本工作原理与特性 发光二极管的发光机理 1. PN结注入发光 LED的特性参数 4. 寿命 LED特点 发光二极管的应用 2.照明 4、显示器 LED与LCD比较 等离子显示器(PDP) 习题 半导体激光器 半导体激光产生过程: 粒子数分布反转 谐振腔 PN结型二极管注入式激光器 粒子数反转的条件:增益大于阈值增益或注入电流大于阈值电流。 半导体激光器的结构 LD 的特点及应用 激光的特性 方向性好 亮度高 单色性好 相干性好 方向性好 单色性好 高亮度 形形色色的激光武器 激光枪 形形色色的激光武器 机载激光武器 激光用于通讯 激光测距与激光雷达 激光切割 长度测量 激光在信息技术领域的应用 全息照相 光存储 大屏幕显示 英女王的全息照片 多路合成角度全息用于艺术品展示 全息激光防伪标签,已经是一个很大的产业 光电耦合器件 光电耦合器件的特点 ⑷ 响应速度快 一般可达微秒级,甚至纳秒级。信号频率在直流至10MHz之间。 ⑸ 实用性强 具有一般固体器件的可靠性,体积小(一般φ6×6mm),重量轻,抗震,密封防水,性能稳定,耗电省,成本低,工作温度范围在-55~+l00℃之间。 ⑹ 即具有耦合特性又具有隔离特性 光电耦合器件的应用 2. 用于逻辑门电路 3. 隔离方面的应用 习题 发光器件:常用LED、LD和微形钨丝灯等。 接收器件:常用光电二极管、光电三极管、光电池及光敏电阻等。 光电耦合器件发送端与接收端是电、磁绝缘的,只有光信息相连。 光电耦合器件:将发光器件与光电接收器件组合在一起具有信号传输功能的器件。 光电耦合器件电路符号 光电耦合器件的基本结构如图,发光器件与光电接收器件靠得很近,但不接触。 光电耦合器件的结构 光电开关基本电路 Rx RL +VCC 限流 电阻 5V 50Ω 100mA 图中(a)、(b)、(c)分别为三种不同安装方式光电发射器件与光电接收器件分别安装器件的两臂上,分离尺寸一般4~12mm,分开的目的是要检测两臂间是否存在物体,以及物体的运动速度等参数。这种封装的器件常被称为对射式光电开关。 ⑴ 具有电隔离的功能 它的输入、输出信号间完全没有电路的联系。绝缘电阻高达1010~l012Ω,击穿电压高达100~25kV,耦合电容小于1PF。 ⑵ 信号传输方式是单向性的 ⑶ 具有抗干扰和噪声的能力 它不受外界电磁干扰、电源干扰和杂光影响。 1. 用于电平转换 工业控制系统所用集成电路的电源电压和信号脉冲的幅度常不尽相同,如TTL的电源为5V,HTL为12V,PMOS为-22V,CMOS则为5~20V。如果在系统中必须采用二种集成电路芯片,就必需对电平进行转换,以便逻辑控制的实现。 6.3 发光二极管的发光光谱由哪些因素决定?光谱的半宽度有何意义? 答:发光二极管的发光光谱由材料的种类、性质及发光中心的结构决定,而与器件的几何形状和封装方式无关。 谱线半宽度(半功率宽度2Δλ )——在LED 谱线的峰值λP两侧±Δλ 处,存在两个光强等于峰值一半的点,它们之间的宽度。 意义:它是一个反映LED 单色性的参数。半宽度越小,则发光光谱单色性越好,发光功率集中于半谱线宽度内。 半导体激光器是向半导体PN结注入电流,实现粒子数反转分布,产生受激辐射,再利用谐振腔的正反馈,实现光放大而产生激光振荡的 1、工作物质(产生粒子数反转分布) 2、激励能源(辐射源或电源) 3、有一个谐振腔(提供正反馈和高增益,维持受激辐射。) 获得激光必须具备三个要素: 半导体激光器的发光原理 半导体PN结 正向偏压 粒子数反转 产生受激辐射 振荡选频 输出激光 (激励源) (激光物质) (谐振腔) 在激光物质中,产生激光的必要条件之一就是受激辐射要占主导地位,此时就必须从外部给工作物质输入能量,使处于激发态的载流子多于处于基态的载流子,也就是把载流子的正常分布倒转过来——粒子数反转 粒子数反转的条件:增益大于阈值增益或注入电流大于阈值电流。 通常是由具有一定几何形状和光学反射特性的两块反射镜按特定的方式组合而成。 作用: ①提供正反馈和增益,维持受激辐射的持续振荡。 ②对腔内往返振荡光束的方向和频率进行限制,以保证输出激光具有一定的定向性和单色性。 谐振腔——在激光物质的两测放置相互平行的反射面。作用是让所选光能在其内反复振荡而加强 。 光在共振腔内获得增益,当腔内增益大于损耗,产生激光振荡。 这样的激光器面积大,也称为大面积激光器。 半导体激光器也称激光二极管(LD——Laser Diode) 最简单的半导体激光器由一个薄有源层(厚度约0.1μm)、P
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