* N阱硅栅CMOS工艺主要流程 8. N+ active注入(Nplus —Pplus反版) ( 硅栅自对准) P-Sub P-Sub P-Sub * N阱硅栅CMOS工艺主要流程 9. 淀积BPSG,光刻接触孔(contact),回流 P-Sub P-Sub * N阱硅栅CMOS工艺主要流程 10. 蒸镀金属1,反刻金属1(metal1) P-Sub * N阱硅栅CMOS工艺主要流程 11. 绝缘介质淀积,平整化,光刻通孔(via) P-Sub P-Sub * N阱硅栅CMOS工艺主要流程 12. 蒸镀金属2,反刻金属2(metal2) P-Sub * N阱硅栅CMOS工艺主要流程 13. 钝化层淀积,平整化,光刻钝化窗孔(pad) P-Sub * N阱硅栅CMOS工艺主要流程 光刻掩膜版汇总简图 N阱 ?有源区 ?多晶 ?Pplus ?Nplus ?接触孔 ?金属1 ?通孔 ?金属2 ?PAD * 单晶硅和芯片制造 * RFID封装 * 未来发展趋势 RFID室内定位——中文大学 * 未来发展趋势 无线感测技术——超高频RFID传感器标签 * 未来发展趋势 应用指纹生物识别提高金融IC卡安全 将来…指纹IC卡 可充电 指纹读取速度快 指纹的安全等级比按键高 支持eID指纹技术 指纹识别准确度高 国内外已有基于按键的IC卡产品: 不可充电 按键用户体验极差
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