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第 PAGE 8页 共 NUMPAGES 10页 深圳大学期末考试特殊考试方式 电子科学与技术学院 集成电路工艺原理 期末总结报告 姓名：李诗婷 学号：2011160079 深圳大学考试答题纸 (以论文、报告等形式考核专用)二○一三～二○一四学年度第 一 学期 课程编号课程名称 集成电路工艺原理 主讲教师 杨靖 评分 学 号 2011160079 姓名 李诗婷 专业年级 11级微电子一班 教师评语： 要 求 本报告（作业）必须是完全独立完成，没有抄袭或节选选本课程其他同学的作业，如果确认是抄袭（抄袭和被抄袭）都要承担最终成绩为F的结果。 完成时间：2014，1，3下班之前 请详细解答以下每道问题！（回答时请每道题之间留有空隙、题之间清晰分开、每题标明题号；字迹工整、最好打印；图可以手画，但是，必须用规、具，线条清晰规范；坚决杜绝！纸面脏、乱、草） 现在先进集成电路光刻工艺中曝光光源的波长为193nm或157nm，根据现代光学理论，曝光光刻胶的分辨率大约等于波长。然而，现在，在45nm器件工艺中，使用的曝光光源仍然是193nm光源，请详细回答（可以附加图形），在此工艺中使用了什么特殊技术成功解决了用193nm光源曝光45nm器件的难题（写出，波长和分辨率之间的关系式）。 【15分】 Intel基于HKMG技术实现了45nm、32nm处理器的生产。请通过查阅资料，阐述你对前栅极(gate-first)和后栅极(gate-last)两种新一代栅极堆栈方法的理解。 【20分】 如图：在离子注入工艺中，为了简单起见，p阱（或n阱）按密度可以分为这样3个区域，以nMOS为例分为n-,n+和p三个区域，请问形成这样的结构采用了什么工艺技术和那些工艺步骤才能形成，这些步骤有什么目的。请详细解答。 【15分】 n- n- p n+ 从集成电路发展的历史来看，半导体硅在集成电路工艺中得到了非常深入的研究和应用，请从你所掌握的知识出发，阐述硅在集成电路中的具体应用，以及在应用中的优缺点。 【15分】 如图，在大规模集成电路中为了增大电容量，常把电容的电极制作成立体形式，以增大电容量，请详细叙述（用图和语言）图所示立体电容的形成工艺过程。 【20分】 （图说明：图中电容材料为多晶硅和氧化硅，其中，红线为SiO2，其他为多晶Si） 超大规模集成电路工艺中引入了化学机械平坦化工艺，请详细阐述引入平坦化工艺的必要性和平坦化工艺解决的集成电路制造中的问题，以及当前平坦化工艺中存在的问题。 【15分】 以下为答题用 ——————————————————————————————————————————— 1. 答： 在此工艺中使用的是浸入式光刻技术，成功解决了用193nm光源曝光45nm器件的难题。 如图1所示，在传统的光刻技术中，其镜头与光刻胶之间的介质是空气，而所谓的浸入式光刻技术是将空气介质换成液体。实际上，浸入式光刻技术利用光通过液体介质后光源波长缩短来提高分辨率，其缩短的倍率即为液体介质的折射率。 图1 浸入式光刻与传统光刻的比较 在光刻中，分辨率被定义为清晰分辨出硅片上间隔很近的特殊图形对的能力，其对任何光学系统都是一个重要的参数，对光刻非常关键。分辨率的公式如下所示： 其中，k表示特殊应用的因子，范围是0.6~0.8；是光源的波长；NA是曝光系统的数值孔径。这个公式有三个参数影响分辨光刻胶上几何图形的能力：波长、数值孔径NA、工艺因子k。 显而易见，减少曝光光源的波长并增加投影透镜的NA都可以提高分辨率。自从193nm波长成为主攻方向后，增大NA成为了业内人士孜孜不倦的追求。因此，浸入液、光刻设备、和其他相关环节的紧密配合是浸入式光刻技术前进的保证。 沉浸式光刻技术是 AMD在45nm的Phenom Ⅱ 处理器生产中最新应用的技术之一，在45nm Phenom II的生产中，整个晶圆是浸泡在去离子水中的，这种情况相当于将光刻的分辨率提高了1.44倍，正好满足65/45=1.44的工艺改进幅度。用这种工艺设计生产的SRAM芯片可获得约15%性能提升。 2. 答： 随着晶体管尺寸的不断缩小，HKMG(high-k绝缘层+金属栅极)技术几乎已经成为45nm以下级别制程的必备技术。不过在制作HKMG结构晶体管的工艺方面，业内却存在两大各自固执己见的不同阵营，分别是以IBM为