晶体管放大电路.docVIP

电子线路原理－晶体管放大电路 汪振中 编 PAGE PAGE 22 2、晶体管放大电路原理 2.1 晶体管和FET的工作原理 2.1.1晶体管和FET的放大工作的理解 电源 电源 电源 输入 输入 输出 输出 （b）FET（以N型JFET为例）（a）双极型晶体管(以NPN型为例) （b）FET（以N型JFET为例） （a）双极型晶体管(以NPN型为例) 晶体管和FET的放大作用：晶体管或FET的输入信号通过器件而出来，晶体管或FET吸收此时输入信号的振幅信息，由电源重新产生输出信号，由于该输出信号比输入信号大，可以看成将输入信号放大而成为输出信号。这就是放大的原理。 2.1.2晶体管和FET的工作原理 A被基极电流控制的电流源 A 被基极电流控制的电流源 检测基极电流的电流计 集电极（输出端） 基极（输入端） 发射极（公共端） 双极型晶体管的内部原理 晶体管内部工作原理：对流过基极与发射极之间的电流进行不断地监视，并控制集电极-发射极间电流源使基极-发射极间电流的β倍的电流流在集电极与发射极之间。就是说，晶体管是用基极电流来控制集电极-发射极电流的器件。 2、FET的工作原理 V V 被栅极电压控制的电流源 检测栅极电压的电压计 漏极（输出端） 栅极（输入端） 源极（公共端） FET的内部原理 FET内部工作原理：对加在栅极与源极之间的电压进行不断地监视，并控制漏极-源极间电流源使栅极-源极间电压的gm倍的电流流在漏极与源极之间。就是说，FET是用栅极电压来控制漏极-源极电流的器件。 2.1.3分立元件放大电路的组成原理放大电路的组成原理（应具备的条件）1放大器件工作在放大区（三极管的发射结正向偏置，集电结反向偏置；结型FET与耗尽型MOSFET 可采用自偏压方式或分压式偏置或混合偏置方式，增强型MOSFET则一定要采用分压式偏置或混合偏置 方式）即要保证合适的直流偏置；（2）：输入信号能输送至放大器件的输入端； （3）：有信号电压输出。判断放大电路是否具有放大作用，就是根据这几点，它们必须同时具备。 2.1.4晶体管放大电路的直流工作状态分析（以晶体管电路为例） 直流通路：在没有信号输入时，估算晶体管的各极直流电流和极间直流电压， 将放大电路中的电容视为开路，电感视为短路即得。它又被称为静态分析。 直流工作点：又称为静态工作点，简称Q点。在进行静态分析时，晶体管放大电路主要是求基极直流 电流IB、集电极直流电流IC、集电极与发射极间的直流电压UCE 。FET放大电路主要是求栅源电压UGS， 漏极直流电流ID，漏极与原极间的直流电压UDS。 1、公式法计算Q点 1)共e接法自偏压式共射极接法 自偏压式共射极接法 IB=(UCC-UBE)/RB IC=βIB UCE=UCC-ICRC 分压式共射极接法I1 I2 IC I 分压式共射极接法 I1 I2 IC IB IE IB=IC/β 2)共b接法 自偏压式共基接法UCC=IBRB+UBE+IERE= IBRB+UBE+ (1+β)IB RE 自偏压式共基接法 IC = IBβ 分压式共基接法 分压式共基接法 IB=IC/β 3)共c接法 UCC=IBRB+UBE+IERE= IBRB+UBE+ (1+β)IB RE 自偏压式共集接法 自偏压式共集接法 IC = IBβ 分压式共集接法 分压式共集接法 IB=IC/β 2、图解法计算Q点 三极管的电流、电压关系可用输入特性曲线和输出特性曲线表示，可以在特性曲线上，直接用作图的方法来确定静态工作点。用图解法的关键是正确的作出直流负载线，通过直流负载线与iB=IBQ的特性曲线的交点，即为Q点。读出它的坐标即得IC和UCE 图解法求Q点的步骤为： 1）：通过直流负载方程画出直流负载线， 输入回路直流偏流线，求IBQ 输出回路直流负载线 ，求ICQ、UCEQ2）：由基极回路求出IB 输入回路直流偏流线，求IBQ 输出回路直流负载线 ，求ICQ、UCEQ 共射极放大电路 为例 2.1.5 FET放大电路的直流工作状态分析 1、解析法 已知电流方式及栅源直流负载线方程，联立求解即可求得工作点。如： 将下式代入上式，解一个iD的二次方程，有两个根，舍去不合理的一个根，留下合理的一个根便是IDQ。 图解法求直流工作点 图解法求直流工作点 (a)自偏压方式；(b)混合偏置方式 画出N沟道场效应管的转移特性如图所示。 对于自偏压方式，栅源回路直流负载线方程为 在转移特性坐标上画出该负载线方程如图(a)所示。分别求出JFET的工作点为Q1点，耗尽型MOSFET的工作点为Q2点，而与增强型MOSFET转移特性则无交点。 对于混合偏置方式，栅源回路直流负载线方程为 画出该