第二章薄膜的物理气相沉积.pptVIP

第二章 薄膜的物理气相沉积（Ⅰ）-蒸发法;本章内容; 一、定义 物理气相沉积（Physical Vapor Deposition， PVD ） 利用某种物理过程，如物质的热蒸发或受到离子轰击时物质表面原子的溅射现象，实现物质原子从源物质到薄膜的可控转移的过程。;蒸发法：把装有基片的真空室抽成真空，使气体压强达到10-2Pa以下，然后加热镀料，使其原子或分子从表面逸出，形成蒸汽流，入射到基片表面，凝结形成固态薄膜。具有较高的沉积速率、相对较高的真空度，以及由此导致的较高的薄膜纯度等优点。 溅射法：具有自己的特点，如在沉积多元合金薄膜时化学成分容易控制、沉积层对沉底的附着力较好。;第一节 物质的热蒸发;;（1）元素的蒸发速率 --- 蒸发现象： ? 蒸发与温度有关，但不完全受熔体表面的受热多少所决定； ? 蒸发速率正比于物质的平衡蒸气压(Pe)与实际蒸气压力(Ph)之差； --- 蒸发速率（两种表达）： ? 元素的净蒸发速率：在一定的温度下，处于液态或固态的元素都具有一定的平衡蒸汽压。因此，当环境中的分压降低到了其平衡蒸汽压之下时，就会发生元素的净蒸发。;其中α蒸发系数(0~1)，Pe—元素的平衡蒸汽压，Ph—元素的实际分压； ? 最大蒸发速率(分子/cm2s)： α＝1， Ph= 0;影响蒸发速率的因素： 由于元素的平衡蒸汽压随着温度的上升增加很快，因而对元素的蒸发速率影响最大的因素是蒸发源所处的温度。;（2）元素的平衡蒸气压 --- 元素的蒸气压： ?Clausius-Clapyeron(克劳修斯-克莱普朗）方程;元素蒸气压的近似表达式： I是积分常数，B是一个系数 ΔH≈ΔHe 在一定的温度区间内严格成立;;根据物质的蒸发特性，物质的蒸发情况可被划分为两种类型： 1. 将物质加热到其熔点以上（固－液－气）。 例如：多数金属 2. 利用由固态物质的升华，实现物质的气相沉积。 例如：Cr、Ti、Mo、Fe、Si等;? 蒸发源的选择： – 固体源：熔点以下的饱和蒸气压可以达到0.1Pa; – 液体源：熔点以下的饱和蒸气压难以达到0.1Pa; – 难熔材料：可以采用激光、电弧蒸发；;（3）化合物与合金的热蒸发 多组元材料的蒸发： ? 合金的偏析：蒸气成分一般与原始固体或液体成分不同； ? 化合物的解离：蒸气中分子的结合和解离发生频率很高； 蒸发不发生解离的材料，可以得到成分匹配的薄膜：如 B2O3, GeO, SnO, AlN, CaF2, MgF2,…… ; 蒸发发生解离的材料；沉积物中富金属，需要分立的蒸发源； 硫族化合物：CdS, CdSe, CdTe,…… 氧化物：SiO2, GeO2, TiO2, SnO2, ;1、化合物的蒸发 化合物蒸发中存在的问题： a）蒸发出来的蒸气可能具有完全不同于其固态或液体的成分；（蒸气组分变化） b）气态状态下，还可能发生化合物个组员间的化合与分解过程；后果是沉积后得到的薄膜成分可能偏离化合物的正确的化学组成。 化合物蒸发过程中可能发生的各种物理化学反应： 无分解反应；固态分解反应；气态分解蒸发;2、合金的蒸发;合金的蒸发： ? 合金薄膜生长的特点：合金薄膜不同于化合物，其固相成分的范围变化很大，其熔点由热力学定律所决定； ? 合金元素的蒸气压： – 理想合金的蒸气压与合金比例(XB)的关系（拉乌尔定律）： PB=XBPB(0) ; PB(0)为纯元素的蒸气压； – 实际合金的蒸气压：PB=γBXBPB(0) = aBPB(0) – 合金组元蒸发速率之比：;定律的应用: ? 假设所制备的Al-Cu合金薄膜要求蒸气成分为Al-2wt%Cu：即：ΦAl/ ΦCu=98MCu/2MAl，蒸发皿温度：T=1350K。求所配制的Al-Cu合金成分。 ? PAl/PCu=1×10-3/2 ×10-4, 假设：γAl= γCu 则：XAl/X Cu=15 (mol比)≈6.4 (质量比) 注意： 计算只适用于初始的蒸发 蒸气成分的稳定性与蒸发工艺有关；;蒸气成分稳定性的控制: 增加熔池内蒸发物质总量(V0) 减小组分变化(vr) ； 减少蒸发物质总量，短时间完成蒸发，多次添加； ? 分立纯金属源独立蒸发控制：存在薄膜成分不均匀的可能； 蒸发方法的缺点： ? 不适合组元蒸气压差别比较大的合金薄膜； ? 多元合金的成分控制比较困难：;2.2 薄膜沉积厚度均匀性与纯度 ;? 面源：蒸发源的几何尺寸与基片的尺寸相当； – 沉积量： θ为基片某点的沉积量与蒸发源法向方向和基片法向方向夹角有关； Φ为与该点和蒸发源连线与基片法向的夹角有关；;;;面源的高阶效应: ? 实际的