半导体制造技术.docx

第一章 1.微芯片制造涉及的5个大的制造步骤： 硅片制备 硅片制造 硅片测试\拣选 装配与封装 终测 2.芯片上的物理尺寸特征被称为特征尺寸。描述特征尺寸的另一个术语是电路几何尺寸。特别值得注意的是硅片上的最小特征尺寸，也称为关键尺寸或CD。 第二章 1.硅作为半导体的只要材料的4个理由： 硅的丰裕度 更高的熔化温度允许更宽的工艺容限 更宽的工作温度范围 氧化硅的自然生成 2.可选择的半导体材料有锗（Ge）、硅（Si）、砷化镓（GaAs）。 第三章 1.npn的剖面图 2.nmos和pmos的剖面图（中间的SiO2可以不画；什么类型的效应管沟道就是什么类型） 3. 闩锁效应是CMOS工艺所特有的寄生效应，严重会导致电路的失效，甚至烧毁芯片。闩锁效应是由NMOS的有源区、P衬底、N阱、PMOS的有源区构成的n-p-n-p结构产生的，当其中一个三极管正偏时，就会构成 正反馈形成闩锁。避免闩锁的方法就是要减小衬底和N阱的寄生电阻，使寄生的三极管不会处于正偏状态。 静电是一种看不见的破坏力，会对电子元器件产生影响。ESD 和相关的 电压瞬变都会引起闩锁效应（latch-up）是半导体器件失效的主要原因之一。如果有一个强电场施加在器件结构中的氧化物薄膜上，则该氧化物薄膜就会因 介质击穿而损坏。很细的金属化 迹线会由于大 电流而损坏，并会由于浪涌电流造成的 过热而形成开路。这就是所谓的“闩锁效应”。在闩锁情况下，器件在电源与地之间形成短路，造成大 电流、EOS（电过载）和器件损坏。 4.IC中常用的电阻（多晶硅电阻）和电容（cpp多晶硅电容、cmm多金属电容）。 5.n沟道nmos的曲线图 第四章 1.硅片的常见晶向（100）、（110）、（111）图。 2.单晶硅的生长方法： CZ法，Czochralski发生长单晶硅把熔化了的半导体级硅液体变为有正确晶向并且被掺杂成n型或p型的固体硅锭。85%以上的单晶硅的采用CZ发生长出来的。 区熔法。 3.常见的单晶硅的缺陷有 A.点缺陷 B.位错 C.层错 第五章 1.物质的存在有四种形态：固态、液态或气态，另外还有等离子体。 固体有自己固定的形状，不会随着容器的形状而改变；液体随着容器的形状的改变而改变自己的形状，液体会填充容器的相当于液体体积大小的区域，并会形成表面；气体也随着容器的形状而改变自己的形状，但是气体会充满整个容器，但不会形成表面；当有高能电离的分子或原子在聚集体存在时就会出现等离子体。 2.半导体制造过程中常用的四种碱： A.氢氧化钠（NaOH）B.氢氧化铵(NH4OH) C.氢氧化钾(KOH) D.氢氧化四甲基氨(TMAH) 3.半导体制造过程中使用的气体分为通用气体和特种气体。通用气体包括惰性气体：氮气（N2）、氩气（Ar）、氦气（He），还原气体氢气（H2），氧化性气体氧气（O2）。 第六章 1.硅片制造中的沾污控制-硅片湿法清洗RCA清洗，在RCA清洗中用到的清洗液： 颗粒：piranha（SPM）、SC-1(APM) 有机物污染物：SC-1(APM) 金属（不含铜）：SC-2(HPM)、piranha（SPM）、 DHF 自然氧化成：DHF、BHF 2.在半导体工厂中，广泛使用测量方块电阻的方法是四探针法。 3.关键尺寸（CD）测量的一个重要原因是要达到对产品所有线宽的准确控制。能获得这种测量水平的仪器是扫描电子显微镜（SEM）。 4.电容-电压（C-V）测试，p157 第九章 1.集成电路制造就是在硅片上执行一系列复杂的化学或者物理操作，分为四大基本类：薄膜制作（layer）、刻印（pattern）、刻蚀和掺杂。 2.硅片制造厂可以分为6个独立的生产区：扩散（包括氧化、膜淀积和掺杂工艺）、光刻、刻蚀、薄膜（thin film）、离子注入和抛光。 3.CMOS制作步骤： ⑴双阱工艺 ⑵槽隔离工艺 ⑶对晶硅栅结构工艺 ⑷轻掺杂漏（LDD）注入工艺 ⑸侧墙的形成 ⑹源/漏（S/D）注入工艺 ⑺接触孔的形成 ⑻局部互连工艺 ⑼通孔1和金属塞1的形成 ⑽金属1互连的形成 ⑾通孔2和金属塞2的形成 ⑿金属2互连的形成 ⒀制作金属3直到制作压点及合金 ⒁参数测试 第十章 1.氧化层的作用： 保护器件免划伤和隔离沾污； 限制带电载流子场区隔离（表面钝化）； 栅氧或储存器单元结构中的介质材料； 掺杂中的注入掩蔽； 金属导电层间的介质层； 2.硅片上的选择性氧化区域是利用SiO2来实现对硅表面相邻器件间的电隔离。传统的0.25um工艺以上的器件隔离方法是硅的局部氧化（LOCOS）；用于亚0.25um工艺的选择性氧化的主要技术是浅糙隔离（STI）。