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第四章矿物的晶体缺陷与位错 本章以自学形式学习,学习的提纲与要点如下: 一、晶体缺陷及其分类 (一)、晶体缺陷的概念;(二)、晶体缺陷的分类。 二、位错及其运动 (一)、位错的基本概念;(二)、位错的基本类型; (三)、柏格斯矢量;(四)、位错的基本运动方式。 三、位错亚构造 (一)自由位错;(二)、位错列或位错壁;(三)、亚颗粒构造;(四)、堆垛层错;(五)、位错环或位错弓弯 四、位错的研究方法 (一)、化学浸蚀法;(二)、缀饰法; (三)、透射电镜法;(四)、其他方法。 第四章矿物的晶体缺陷与位错 一、晶体缺陷及其分类 (一)、晶体缺陷的概念 1、晶体—具有格子状构造的固体(即内部质点在三维空间以一定规律作连续周期性排列的固体)。 2、理想晶体—绝对完整点阵结构的晶体。 3、晶体缺陷(晶格缺陷)--晶体结点上的质点(原子、离子或种基团)的周期性排列在某些地方受到了破坏,也可以说其内部点阵结构发生了偏差,其偏差量超过了正常原子间距的1/4。 如果这种缺陷是晶体生长过程中出现的,称为生长缺陷; 如果这种缺陷是晶体变形过程中出现的,则称为变形缺陷。一般生长缺陷的密度低,而变形缺陷的密度高。 (二)、晶体缺陷的分类 晶体缺陷按其在晶体中的几何分布特征可分为点缺陷、线缺陷、面缺陷。 点缺陷—在三维空间的各个方向上尺寸都很小,约为1~几个原子间距,亦称零维缺陷; 线缺陷—在一个方向上尺寸较大,在另二个方向上尺寸都很小,亦称一维缺陷; 面缺陷--在两个方向上尺寸较大,在一个方向上尺寸很小,亦称二维缺陷。 1、点缺陷它包括空位、间隙原子、替换原子。 (1)空位(空穴): 空位是指晶体格架中结点位置上的原子缺失而形成。空位有两种类型: ①肖脱基(Schottky)空位--原结点上的原子迁移到晶体表面或晶界上而在原位置上留下空位; ②弗仑克尔(Френкель)空位--原结点上的原子挤入晶体的间隙位置而在原位置上留下空位指晶体格架中结点位置上的原子缺失而形成。 2、线缺陷 2、线缺陷:是指晶格内结点上质点排列的周期性被破坏成为一条线。其特点是在三维空间中,只有一维有缺陷,其他二维是正常的。线缺陷是变形晶体中最常见的一种缺陷,其主要类型是位错。 3、面缺陷:是指晶格内结点上质点排列的周期性被破坏成为一个面。包括亚晶界、双晶面、堆垛层错等。 二、位错及其运动 (一)、位错的基本概念 位错的概念是在研究晶体塑性变形中提出来的,主要基于以下的一些现象: 1、晶体塑性变形后在其表面出现明显的滑移痕迹—滑移线; 2、完整晶体的刚性滑移所需的最小切应力(理论屈服极限)与实际屈服强度值有巨大的差异。τm=G/30 τm --理论屈服强度值(临界分解剪应力); G--切应弹性模量。 但实际晶体由实验测得的实际屈服强度值仅为这个理论值的百分之一到千分之一。 如铁:理论上开始滑移所需的应力值为230kg/mm2, 但实际滑移只需2.9kg/mm2。 又如铝:理论上开始滑移所需的应力值为60kg/mm2, 但实际滑移只需0.2kg/mm2。 如何解释这种矛盾现象?从自然界的毛毛虫爬行到室内大地毯搬移得到启发。认为晶体的实际滑移过程并不是滑移面两边的所有原子都同时整体作相对滑动,而是局部区域(一部分原子)首先滑移,然后已滑移区逐渐扩大,直到整个滑移面上的原子都发生滑移。为什么局部区域首先滑移?就足因为这些区域存在某些晶体缺陷,因而在较低的应力下就可发生滑移,这些缺陷就是位错。 (二)、位错的基本类型 1、刃型位错 图a上半部分相对于下半部沿着ABCD面滑移了一个原子间距d。结果在滑移面的上半部出现了多余的半原子面EFGH, 半原子面好象一把刀插入晶体中, 使ABCD面上下两部分晶体之间产生了原子错排(b图), 多余半原子面与滑移面的交线EF就称作刃型位错线。位错线实际上是晶体已滑移区(ABEF部分)与未滑移区(EFCD部分)在滑移面上的分界线。刃型位错线垂直于滑移方向。通常将额外半原子面位于滑移面上方者称“正刃型位错”, 以“┴”表示, 将多余(额外)半原子面位于滑移面下方者称“负刃型位错”, 以“┬”表示。 刃型位错周围的点阵畸变相对于额外半原子面是左右对称的, 含有额外半原子面的那部分晶体受压, 原子间距减小;而另一部分则受引张, 原子间距增大。点阵畸变的程度随远离位错线而减小至零。按晶格缺陷的定义是原子间距畸变大于其正常原子间距1/4的区域, 一般在位错线周围点阵畸变满足此条件的范围约有2~5个原子间距的宽度, 但位错线的长度一般在数百~数万个原子间距, 故位错区是一条细长的“管道”, 而不是一条几何线 2、螺型位错 图a晶体在切应力τ的作用, 其右侧上下两部分原子沿滑移面ABCD发生了滑移,
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