半导体制造工艺介绍.pptx

半导体制造工艺介绍内容说明半导体的演进制造环境制造工艺一.半导体的演进 Lee De Forest发明了放大电子信号的三极真空管（音频管) 1906年第一個電晶體, 貝爾實驗室, 1947年硅片上的第一個集成電路德州儀器第一個集成電路晶片1958年1961年半导体产业发展简介固體材料按照電阻係數分类 ：完全不含雜質的純半導體其電阻係數很高，幾乎不會導電。但是同樣的材料只要添加微量的不純物或外加電場，其電阻係數會急遽下降，變成容易導電。或是使其氧化成絕緣膜，其電阻係數會增加。利用這種材料特性為基礎，加上使電子線路圖案轉印到這些薄膜上的機轉，可以將不同的電子元件組合成為一元件，即是集成電路。集成電路(IC-Integrated Circuit) 常用材料硅(Si)是现在各种半导体中使用最广泛的电子材料，它的來源极广。它的含量占地球表层的25%，纯化制作容易，取得成本较低，因此被用來做为集成电路制作的主要材料。(ex:玻璃)IIIIVV元素半导体 ：矽,鍺化合物半導體 : 碳化矽(SiC),砷化鎵(GaAs)金屬 : Co, Ni, Cu, W, Al为什么硅(Si) 比锗(Ge)和砷化镓(GaAs)适合半导体制造 ?1. Si材料较易取得(例如:石英砂)。2. Si有承受高温的能力，再则高温时 Si 极易形成用途极广的 SiO2 增加 Si 的实用价值。3. Ge 的氧化物不易形成且 GeO2 在高温时不稳定。4. 相较于锗Ge,Si有较大的能隙,所以可以承受较高的操作温度及较大质添加范围。5. Si崩溃电压高于 Ge 崩溃电压，Si漏电流低于 Ge 漏电流。6. 对 Ge 而言，热氧化法所形成薄膜其 Ge 氧化物及 As 氧化物组成比例不同。且含 As 离子，使氧化物无法满足电性绝缘及保护半导体表面的要求。集成電路(IC-Integrated Circuit)就是把特定電路所需的各種電子元件及線路(電阻，電容，二極體，電晶體，絕緣體，導線)，緊湊地縮小並製作在大小僅及2cm2，或更小的面積上的一種電子產品。集成電路製作的流程堪稱複雜。基本上，約需經過數百個不同的步驟，耗時約一兩個月(1000小時以上)才得以完成。其間所涉及的技術，製程的精密自動化程度十分徹底，幾乎涵蓋所有近代科學的科技與發明。集成電路(IC) 的变迁与大小比较尺寸縮小1/20000，面積縮小1/400,000,000莫爾定律 Moores Law英特爾(INTEL)創辦人高登莫爾（Gordon Moore）莫爾(1965年)定下的定律，莫爾预言于特定大小芯片裡的電晶體數大約每隔一年就會加倍,1975年修订約每隔18個月便會增加一倍，性能也將提升一倍。莫爾定律关键贡献 ：加工硅片能力通过简小器件特徵尺寸,以得到新的线宽以及随著每一代产品增加芯片上的晶体管数来实现。 莫爾定律 Moores Law硅片尺寸的演化单位 ： 毫米450188”1506”1255”4”100752.5”3”50互补金属半导体电路线宽的演进:IC 的尺度---集成电路芯片的集成化层级集成化层级缩写芯片内的元件数目小型集成电路(Small Scale Integration)SSI2 ~ 50中型集成电路(Medium Scale Integration)MSI50 ~ 5,000大型集成电路(Large Scale Integration)LSI5,000 ~ 100,000极大型集成电路(Very Large Scale Integration)VLSI100,000 ~ 10,000,000超大型集成电路(Ultra Large Scale Integration)ULSI10,000,000 ~ 1,000,000,000特大型集成电路(Super Large Scale Integration)SLSI超过 1,000,000,000Wafer 硅片半导体物质(如纯硅)小薄圆片，在上面可以形成一个个完整电路Die 芯片硅片上的小颗粒，经过处理后具有特殊电性用途。Chip 芯片切割封装好的半导体电子元件。半导体术语二. 集成電路生产工厂- FAB洁净室IC 製造需要非常乾淨的環境。由於製程上所處理的圖樣非常的微細，如果有微量的灰塵(Particle)或金屬，各種離子,有機物等不純物之存在,都會造成圖樣化(Patterning)時的形狀不良與特性不良,使IC的良率,性能，可靠性降低。颗粒引起的缺陷半导体制造环境要求主要污染源：微尘颗粒、重金属离子、有机 物残留物和钠离子等轻金属例子。超净间 ：洁净等级主要由微尘颗粒数/m3 来区 隔。联邦标准 209E 定义空气含微粒的洁净等级 0.1um 0.2um 0.3um 0.5um 5.