MOS器件建模及仿真课件.ppt

MOS器件建模及仿真; MOSFET是超大规模集成电路芯片（CPU、RAM等）中最重要的器件. CMOS技术因其抗噪声能力强和静态功耗低等优点已成为VLSI的主流技术. 近些年，薄膜晶体管（TFT）因在显示技术、集成传感器、IC领域有潜在的应用前景而受到广泛关注。;● MOSFET模型;▲ 等效电路模型 　　将器件等效成由一些基本单元组成的电路，器件特性由该等效电路特性来描述. 特点：1）可解析求解； 　　　2）不能揭示器件的内在物理效应； 　　　3）适合于电路模拟器.;▲ 电路模拟器中常用的器件模型 1）解析模型----模型方程直接由器件物理导出. 　A）薄层电荷模型（基于表面势）----该模型在所有工作区域内连续；可精确计算；需要迭代求解. B）半经验解析模型----根据主要的物理现象，对器件的不同工作区域进行近似求解. 解析模型的优点： 　A）描述了物理过程和几何结构之间的关系； 　B）描述了器件的电学特性. 2）查表模型----建立器件特性数据库（系数表），通过查表得到新器件的电流和电导值. 3）经验模型----模型方程基于实验数据的曲线拟合.;● MOSFET模型参数提取;课程论文题;非晶硅TFT;第一章　MOSFET基础; ③ 电子与空穴的电流密度方程： ;● MOSFET结构和工作原理;;3、MOSFET的特性;输出特性曲线; ③ 饱和区 当VDS ＞VD sat 后，沟道夹断点左移，漏附近只剩下耗尽区.这时ID 几乎与VDS 无关而保持常数ID sat,曲线为水平直线，如图中BC段所示.;P3HT-TFT with SiO2 as gate dielectric;P3HT-TFT with SiO2 as gate dielectric;4、MOS的电容;★ MOS系统中的电荷态;★ 不同栅偏压下半导体表面状态的变化情况;反型时的泊松方程：;利用：;p型衬底MOS电容在所有工作区中硅层感生电荷密度Qs与表面势φs的关系如图所示：;★ MOS结构的电容－电压关系;★ MIS结构电容器的等效电路推导;★ 多数载流子响应时间;★ 少数载流子响应机理;负半周：反型层空穴漂移至表面而增加，耗尽层的空穴产生浓度梯度，准中性区形成空穴向半导体表面扩散，中性区空穴和电子的俘获减弱（发射占主导），引起电子从陷阱态中发射，进入导带而流出。;? 产生与复合模式;界面陷阱：在能隙中存在能级分布。（来源？）;★ 电子（空穴???俘获与发射导纳;★ MIS完整的等效电路;实际MOS结构电容C-V曲线：;C-V of Au/P3HT/SiO2/Si capacitors. ;C-V of various MIS structures as a function of test frequency. (a) Au/SiO2/Si structure, (b) Au/P3HT/SiO2/Si structure, (c) Au/HfTiO/Si structure, (d) Au/P3HT/HfTiO/Si structure. ;; 采用低频C-V测试表征界面态; 采用多频C-V测试表征界面态;1、衬底均匀掺杂的MOSFET的阈值电压;在Vds很小时，φs+Vsb(y)代替φs(y),且Vgb=Vgs+Vsb;阈值电压：当硅表面出现强反型时所加的栅偏压.;2、衬底非均匀掺杂的MOSFET的阈值电压;增强型器件浅注入模型：调阈值电压的注入深度浅，注入杂质位于无限薄的硅层中，即位于Si-SiO2界面.;增强型器件掺杂变换模型;补偿器件Vth 模型----沟道注入与衬底或阱中杂质类型相反的杂质;耗尽型器件Vth 模型;γd为耗尽型器件的体因子，当NsNb时，Vth近似为;短沟道效应下的Vth 模型;式中;窄沟道效应下的Vth 模型;漏致势垒降低(DIBL)效应下的Vth 模型;第三章　MOSFET直流（DC）模型;5）沟道内载流子的迁移率为常数.;求出关于 的隐函数方程。;薄层电荷模型;增强器件的分段漏电流模型;所以：;3. MOSFET的沟道长度调制效应;MOSFET分段一级近似模型：;体电荷模型;亚阈值区模型;沟道中扩散电流：;耗尽型器件的漏电流模型;忽略扩散电流，漏电流为：;MOSFET中迁移率问题;? 漏压引起迁移率退化机理: 　 当平行沟道方向的横向电场增加到一定值时导致载流子速度饱和，当电场继续增加，速度不变，迁移率减小。;? 栅电流模型（沟道热电子注入栅氧化层的幸运电子模型）;1）对于N沟MOSFET，栅电流一般为热电子注入引起,栅电流的峰值位于Vgs≈Vds处；Vgs一定时，Vgs≤Vds,　Ig随Vds增大而增大； VgsVds时，工作线性区，Ig减小.;MOSFET的退化机制;（3）衬底热电子：