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* § 1.7 隧道电流 1．PN 结隧道效应 当 P 区和 N 区均为重掺杂的情况时，有些载流子可能穿透（代替越过）势垒而产生额外的电流，这种机制称为量子力学的隧道效应。在下列情况下可以出现隧道效应： 费米能级位于导带或价带的内部； 空间电荷层的宽度很窄，因而有高的隧道穿透率； 在相同的能量水平上在一侧的能带中有电子而在另一侧的能带中有空的状态。 2 ．隧道结的电流-电压特性 对于 P 区和 N 区都是重掺杂的 PN 结的电流-电压特性如图所示。 正向电流一开始就随正向电压的增加而迅速上升并达到一个极大值 ，称为峰值电流，对应的正向电压 称为峰值电压。随后电压增加，电流反而减小，达到一极小值 ，称为谷值电流，对应的电压 称为谷值电压。当电压大于谷值电压 后，电流又随电压而上升。在 这段电压范围内，随着电压的增大电流反而减小的现象称为负阻。反向偏压时，反向电流随反向偏压的增大而迅速增加，由重掺杂的 P 区和 N 区形成的 PN 结通常称为隧道结，由这种隧道结制成的隧道二极管，由于它具有正向负阻特性而获得了很多用途。例如用于微波放大、高速开关、激光振荡源等。 3 ．能带解释 ① 在简并化的重掺杂半导体中，N 型半导体的费米能级进入了导带，P 型半导体的费米能级进入了价带。未加电压时，P 区价带和 N 区导带虽然具有相同能量的量子态，但是 N 区和 P 区的费米能级相等，在结的两边，费米能级以下没有空量子态，费米能级以上的量子态没有电子占据，所以，隧道电流为零，对应于特征曲线上的点 0。 （a）对应点 0 （e）对应点 4 （b）对应点 1 （c）对应点 2 （d）对应点 3 （f）对应点 5 （b）→（e）正向偏压逐渐增大 （f）为反向偏压 ② 加一很小的正向电压 时，N 区能带相对于 P 区将升高 ，这时结两边能量相等的量子态中，P 区价带的费米能级以上有空量子态，而 N 区导带的费米能级以下有量子态被电子占据，如图所示（b）。因此，N 区导带中的电子可能穿过隧道到达 P 区价带中，产生从 P 区向 N 区的正向隧道电流，对应于特征曲线上的点 1。 ③ 继续增大正向电压，势垒高度 不断下降，有更多的电子从 N 区穿过隧道到达 P 区的空量子态，使隧道电流不断增大。当正向偏压增大到 时，这时 P 区的费米能级与 N 区导带底一样高，N 区的导带和 P 区的价带中能量相同的量子态达到最多，如图（c）所示，N 区导带中的电子可能全部穿过隧道到 P 区价带中的空量子态去，正向电流达到极大值 ，这时对应于特征曲线的点 2。 ④ 再继续增大正向电压，势垒高度进一步降低，在结两边能量相同的量子态开始减少，使 N 区导带中可能穿过隧道的电子数以及 P 区价带中可能接受穿过隧道的电子的空量子态均减少，如图（d）所示，这时隧道电流减小，出现负阻现象，对应特性曲线上点 3。 ⑤ 正向偏压增大到 时，N 区导带底和 P 区价带顶一样高，如图（e）所示，这时 P 区价带和 N 区导带中没有能量相同的量子态，因此不能发生隧道穿通，隧道电流应减少为零，对应特征曲线上点 4。 但实际上在 时正向电流并不完全为零，其数值要比 下的正向扩散电流大得多，可能原因是，简并半导体能带边缘的延伸；通过禁带中的某些深能级所产生隧道效应。 ⑦ 加反向偏压时，P 区能带相对 N 区能带升高，如图（f）所示。在结两边能量相同的量子态范围内，P 区价带中费米能级以下的量子态被电子占据，而 N 区导带中费米能级以上有空的量子态。因此，P 区中的价带电子可以穿过隧道到 N 区导带中，产生反向隧道电流。随着反向偏压的增加，P 区价带中可以穿过隧道的电子数显著增加，故反向电流也迅速增加，如特性曲线上点 5 所示。可见，在隧道结中，即使反向电压很小时，反向电流也是比较大的，这与一般 PN 结不同。 ⑥ 对硅、锗 PN 结来说，正向偏压大于 时，一般地扩散电流就开始成为主要的，这时隧道结和一般 PN 结的正向特性基本一样。 ② 工作温度范围大。由于隧道结用重掺杂的简并半导体制成，所以温度对多子浓度影响甚小，使隧道二极管的工作温度范围增大。 4 ．隧道二极管特点 ① 噪音较低。从前面分析知道，隧道结是利用多子隧道效应工作的，因为单位时间通过 PN 的多子数目起伏较小，所以隧道二极管的噪音较低。 ③ 工作频率高。由于隧道效应本质上是一种量子态跃迁的过程，电子穿过势垒极其迅速，不受电子渡越时间限制，使隧道二极管可以在极高频率下工作。 § 1.8 PN 结击穿 实验发现，对 PN 结施加的反向偏压