数字电路第三章逻辑门电路.pptVIP

3.1 二极管、三极管和MOS管的开关等效电路 ①实现“线与” (4).OC门的应用 ②实现电平转换。 如图所示，可使输出 高电平变为10V。 +10V V0 ③用做驱动器。 如图是用来驱动发光 二极管的电路。 +5V 270Ω 二. 三态门 +5V F R4 R2 R1 T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 A B D E E---控制端 输出有三种状态： 高电平、低电平、高阻态。 +5V F R4 R2 R1 T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 A B D E 0 1 截止 +5V F R4 R2 R1 T2 R5 R3 T3 T4 T1 T5 A B D E 1 导通 截止 截止 高阻态 0 0.3V 1V 符号 功能表 A B F EN 控制端 圈低电平起作用 高电平有效 低电平有效 两种控制模式： 功能表 F 符号 A B EN 控制端 高电平起作用 ０ １ ０ 1、三态门主要作为TTL电路与总线间的接口电路 用途： E1、E2、E3分时接入高电平 E1 E2 E3 公用总线 EN EN EN 2.实现数据双向传输 EN=1，G1工作，G2高阻，D1经G1反相送至总线； EN=0，G1高阻，G2工作，总线数据经G2反相从D2端送出。 3.2.3 TTL集成电路改进电路 P56 2.TTL系列门电路 P58 ①74XX：标准系列； ②74HXX：高速系列； ③74SXX：肖特基系列； ④74LSXX：低功耗肖特基系列；74LS系列成为功耗延迟积较小的系列。74LS系列产品具有最佳的综合性能，是TTL集成电路的主流，是应用最广的系列。 性能比较好的门电路应该是工作速度既快，功耗又小的门电路。因此，通常用功耗和传输延迟时间的乘积(简称功耗—延迟积)来评价门电路性能的优劣。功耗—延迟积越小，门电路的综合性能就越好。 ⑤74ASXX：先进肖特基系列； ④74ALSXX：先进低功耗肖特基系列。 各种品种TTL电路只要 后面XX相同的数字,其功能 完全相同 74LS系列常用芯片 一、N沟道增强型MOS场效应管结构 3.3 CMOS 逻辑门 漏极D→集电极C 源极S →发射极E 栅极G→基极B 衬底B 电极—金属 绝缘层—氧化物 基体—半导体 因此称之为MOS管 Sect 当UGS较小时，虽然在P型衬底表面形成一层耗尽层，但负离子不能导电。 ID + + - - + + - - + + + + - - - - UDS UGS 反型层 当UGS=0V时，漏源之间相当两个背靠背的PN结，无论UDS之间加上电压不会在D、S间形成电流ID,即ID≈0. 当UGSUT时, 沟道加厚，沟道电阻减少，在相同UDS的作用下，ID将进一步增加 开始无导电沟道，当在UGS?UT时才形成沟道, 这种类型的管子称为增强型MOS管 当UGS=UT时, 在P型衬底表面形成 一层电子层，形成N型导电沟道， 在UDS的作用下形成ID。 二、 N沟道增强型MOS场效应管特性曲线 1.转移特性曲线 UDSUGS-UT UGS(V) ID(mA) UDS一定时，UGS对漏极电流ID的控制关系曲线 ID=f(UGS)?UDS=C UT UGS UT MOS管导通 UGS UT MOS管截止 UGS UT MOS管导通 UGS UT MOS管截止 NMOS PMOS 2. 恒流区： 该区内，UGS一定， ID基本不随UDS变化而变 4.击穿区： UDS 增加到某一值时， ID开始剧增而出现击穿。 Sect UGS=6V UGS=4V UGS=5V UGS=3V UGS=UT=3V UGS(V) ID(mA) 截止区 3.截止区 UGS UT ，ID ≈0 UGS一定时， ID与UDS的变化曲线，是一族曲线 ID=f(UDS)?UGS=常数 2.输出特性曲线 1.可变电阻区： ID与UDS的关系近线性 ? MOS管衬底的处理 保证两个PN结反偏，源极—沟道—漏极之间处于绝缘态 NMOS管—UBS加一负压 PMOS管—UBS加一正压 处理原则： 处理方法： Sect 三、MOS管的开关特性 输入低电平，NMOS管截止； 输入高电平，NMOS管导通。 输入低电平，PMOS管导通； 输入高电平，PMOS管截止。 M OS管开关等效电路（理想情况下） 2. PMOS管开关等效电路。 当UGS≤-UT时,TP导通： 当UGS-UT时, TP截止： （等效开关 图同上） 1、NM OS 管开关等效电路 当UGS≥UT时, TN导通： ， 当UGSUT时， TN 截止 * 第三章 逻辑门电路 教学目标：