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第四章 场效应管放大电路 2)共漏放大电路 输出电阻： * * 4.1 结型场效应管 4.3 金属-氧化物-半导体场效应管 4.4 场效应管放大电路 　　只有一种载流子参与导电，且利用电场效应来控制电流的三极管，称为场效应管，也称单极型三极管。 特点 单极型器件(一种载流子导电)； 输入电阻高； 工艺简单、易集成、功耗小、体积小、成本低。 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 场效应管分类： 4.1 结型场效应管 4.1.1 JFET的结构和工作原理 D S G N 符号 一、结构 　N 沟道结型场效应管结构图 N型沟道 N型硅棒 栅极 源极 漏极 P+ P+ P 型区 耗尽层(PN 结) 　　在漏极和源极之间加上一个正向电压，N型半导体中多数载流子电子可以导电。 　　导电沟道是N型的，称N沟道结型场效应管。 P 沟道场效应管 　P 沟道结型场效应管结构图 N+ N+ P型沟道 G S D P沟道场效应管是在 P型硅棒的两侧做成高掺杂的N型区(N+)，导电沟道为P型，多数载流子为空穴。 符号 G D S 二、工作原理 N沟道结型场效应管用改变VGS大小来控制漏极电流 ID 的。 G D S N N型沟道 栅极 源极 漏极 P+ P+ 耗尽层 　　*在栅极和源极之间加反向电压VGS，使栅极、沟道间的PN结反向偏置，栅极电流几乎为0，场效应管输入呈现高阻。在漏极与源极间加一正电压VDS，形成漏极电流iD，电流大小受到VGS控制。 　　下面分三种情况来讨论。 ID = 0 G D S N型沟道 P+ P+ (a) VGS = 0 VGS = 0 时，耗尽层比较窄，导电沟比较宽 VGS 由零逐渐增大，耗尽层逐渐加宽，导电沟相应变窄。 当 VGS = VP，耗尽层合拢，导电沟被夹断，夹断电压VP 为负值。 ID = 0 G D S P+ P+ N型沟道 (b) VGS 0 VGS ID = 0 G D S P+ P+ (c) VGS = VP VGS 结论：VGS可以改变沟道等效电阻R 导电能力下降 导电沟道的等效电阻 导电沟道变窄 结变宽 结承受反偏 负 -T T T T -T PN PN v GS 0 0 : . 1 = - ? DS GS v v 负 先加入 ID = 0 G D S N型沟道 P+ P+ (a) VGS = 0 ① VDS=0,ID=0 G D S N IS ID P+ P+ VDS (b) VDS0(较小) ② VDS 线性 ID 0 0 : . 2 = ?- GS DS v v 加入 G D S P+ N IS ID P+ P+ VDS (C) VDS0(较大) ③ VDS 慢 ID G D S P+ N IS ID P+ P+ VDS (d) VDS0(大) A ④ VDS 趋于饱和 ID 出现预夹断 夹断电压VP VDS G D S P+ N IS ID P+ P+ (d) VDS0(更大) A ⑤ VDS 不变 ID B ⑥ VDS ID 击穿 结论：VDS可以改变漏极电流 对于同样的VDS ，ID的值比VGS=0时的值要小; 导电沟道更容易夹断; - ? - ? 负 和 正 ： 加入 GS DS v v 0 . 3 综上分析可知： 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电， 所以场效应管也称为单极型三极管。 JFET是电压控制电流器件，iD受vGS控制 预夹断前iD与vDS呈近似线性关系；预夹断后，iD趋于饱和。 # 为什么JFET的输入电阻比BJT高得多？ JFET栅极与沟道间的PN结是反向偏置的，因 此iG?0，输入电阻很高。 4.1.2 JFET的特性曲线及参数 形成双端口网络 （1）G、S输入端口 （2）D、S输出端口 （3）源极S为公共端口 1. 输出特性 g-s电压控制d-s的等效电阻 预夹断轨迹，uGD＝UGS（off） 可变电阻区 恒 流 区 iD几乎仅决定于uGS 击 穿 区 夹断区（截止区） 夹断电压 IDSS ΔiD 不同型号的管子UGS（off）、IDSS将不同。 低频跨导： 2. 转移特性 夹断电压 漏极饱和电流 场效应管工作在恒流区，因而uGS＞UGS（off）且uGD＜UGS（off）。 uDG＞－UGS（off） 4.3 绝缘栅型场效应管MOSFET 由金属、氧化物和半导体制成。称为金属-氧化物-半导体场效应管，或简称 MOS 场效应管。 特点：输入电阻可达 109 ? 以上。 类型 N 沟道 P 沟道 增强型 耗尽型 增强型 耗尽型 UGS = 0 时漏源间存