数电第3章门电路.pptVIP

第三章 逻辑门电路 教学目标：通过本章的学习，熟悉TTL集成门电路和CMOS集成门电路的电路组成和原理；掌握 TTL电路和 CMOS电路的主要参数的物理意义、输入输出特性和输入输出等效电路；掌握集成电路使用的注意事项。 一、 N沟道增强型MOS管的结构 二、N沟道增强型MOS管的特性 三、MOS管的基本开关电路 四、 P沟道增强型MOS管的结构 五、四种类型MOS管的特点 三、漏极开路门电路（OD门） 三、输入端噪声容限 “电平变换”功能 T1 VOH VIL=0 VDD IOH RL （2）输出高电平 高电平导通电阻：ROH≤ 1k Ω 最大高电平输出电流IOH ： （以4069为例） -0.51mA（ VDD =5V） -1.3mA （ VDD =10V） -3.4mA （ VDD =15V） （3）扇出系数： N50 注意：CMOS门（ VDD =5V）可驱动一个TTL门 驱动能力强 因为，CMOS门的输入阻抗为∞，但考虑到分布参数，一般取50 一、传输延时时间 传输延时原因： vI vO O O t t 50% 50% tPHL tPLH 二、动态功耗 分布参数 负载电容 MOS管开关延时 3.3.3 CMOS反向器的动态特性 f Pc 3.3.4其他类型的CMOS门电路 1、与非门 二输入“与非”门电路结构如图 当A和B为高电平时: 1 两个串联的NMOS T1、T2 通 通 止 止 0 0 1 通 止 1 止 当A和B有一个或一个以上为低电平时: 电路输出高电平 输出低电平 ? 电路实现“与非”逻辑功能 一、其它逻辑功能的CMOS门电路 两个并联的PMOS管T3、T4 每个输入端与一 个 NMOS管和一个PMOS管的栅极相连 通 1 T3 T1 T2 T4 A B Y VDD 2、或非门 二输入“或非”门电路结构如图 当A和B为低电平时: 1 两个串联的PMOS管T1、T3 两个并联的NMOS T1、T2 通 止 0 当A和B有一个或一个以上为高电平时: 电路输出低电平 输出高电平 ? 电路实现“或非”逻辑功能 0 通 止 T3 T1 T2 T4 A B Y VDD 1 0 止 通 0 外接上拉负载电阻 1.电路组成 2.逻辑符号 A B Y 必须外接负载电阻RL ，才能实现： 3.原理 A Y B VDD2 RL 1 VDD1 CD40107 4.应用 与OC门一样，可做“线与”、“电平变换”等作用。 漏极开路 四、CMOS传输门和双向开关 1.电路结构： 2.工作条件： VI /Vo VDD Vo/VI T1 T2 VSS VI VDD Vo RL 3.原理 （1） 时 VI VDD Vo RL T1 T2 S2 S1 D2 D1 都截止 a. T1非饱和导通条件 （VDS VGS-VGS(th)N）： VI VDD Vo RL T1 T2 S2 S1 D2 D1 假设T1非饱和导通， ∵ RL RON∴ Vo≈ VI 则有： 0 (VDD - VI)- VGS(th)N VI VDD 0 VGS(th)P VGS(th)N T1导通 VDS = VI – V0 ≈0 VGS = VDD – V0 ≈ VDD – VI T1非饱和导通条件: 同理，T2非饱和导通条件: T2导通 T1 、 T2至少有一个非饱和导通， 所以， 时，传输门导通 由于，CMOS器件的源极和栅极在结构上是对称，所以传输门是双向的 Vo/VI TG VI /Vo 4.电路符号： 门控制信号 输入/输出 输出/输入 特别提示：传输门相当于一个理想的开关，且是一个双向开关,可传输模似信号。 C=0，开关断开； C=1，开关接通。 5.应用 主要可作 双向模拟开关， 数据选择器（可传输模拟信号） 五、CMOS三态门 1.电路组成 2.逻辑符号 Y VDD T1 T2 T1 A 1 T2 3.原理： 4.三态门的应用 主要应用在： 总线逻辑 双向传输 A Y 1 CMOS电路的特点 1、功耗小：CMOS门工作时，总是一管导通另一管截止，因而几乎不由电源吸取电流其功耗极小； 2、CMOS集成电路功耗低内部发热量小，集成度可大大提高； 3、抗幅射能力强，MOS管是多数载流子工作，射线辐 射对多数载流子浓度影响不大； 4、电压范围宽：CMOS门电路输出高电平VOH ≈ VDD，低电平VOL ≈ 0V。 5、输出驱动能力强：扇出能力较大，一般可以大于50； 6、在使用和存放时应注意静电屏蔽，焊接时电烙铁应接地良好。 3.4 TTL集成门电路 TTL：Transistor Transistor Lo