微电子工艺原理- 第6讲 薄膜工艺化学气相淀积.pptVIP

1 第六讲 薄膜工艺 之化学汽相淀积 主讲人：李方强 早期nMOS晶体管的各层膜 课堂小结 1、溅射工艺的机理。 2、溅射率的影响因素 3、直流、射频、磁控溅射的工艺原理及特点 4、化学气相淀积工艺的过程、要求、及特点。 稳定状态： F1=F2=F ∴ Cs=Cg/(1+ks/hg) （1）hg ks时，Cs趋向Cg，淀积速率受表面化学反应控制 （2）ks hg时，Cs趋向0，淀积速率受质量输运速率控制 薄膜淀积速率（其中N1表示形成一个单位体积薄膜所需要的原子数量）： 薄膜淀积速率(1) CVD工艺小结及作业题 1、CVD的工艺分类及其特点 2、画出CVD工艺的生长过程示意图，并描述生长速率与哪些因素有关。 3、列举CVD的应用范围。 4、CVD工艺的动力驱动是什么。 4. 排气处理系统 CVD反应气体大多有毒性或强烈的腐蚀性，因此需要经过处理后才可以排放。通常采用冷吸收，或通过临水水洗后，经过中和和反应后排放处理。 随着全球环境恶化和环境保护的要求，排气处理系统在先进CVD设备中已成为一个非常重要的组成部分。 除上述所介绍的组成部分外，还可根据不同的反应类型和不同沉积物来设计沉积反应室的内部结构，在有些装置中还需增加激励能源控制部件，如在等离子体增强型或其它能源激活型的装置中，就有这样的装置存在。下面具体介绍一些反应的生产装置。 (1) 常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置 图6.3.1是一些常压单晶外延和多晶薄膜沉积装置示意图。 图6.3.1a是最简单的卧式反应器；图6.3.1b是立式反应器；图6.3.1c是桶式反应器。 三种装置不仅可以用于硅外延生长，也较广泛的用于GaAs，AsPAs，GeSi合金和SiC等其它外延层生长；还可用于氧化硅、氮化硅；多晶硅基金属等薄膜的沉积。 由图6.3装置的变化也可以看出逐步增加每次操作的产量，（a）装置3～4片衬底， (b)的装置中可以放6～18 片/次。(c)的装置可以放置24～30片/次。但是这样的变化远远满足不了集成电路迅速发展的需要。 图6.3 (a) 卧式反应器 (b)立式反应器 (c) 桶式反应器 (2) 热壁LPCVD装置 图6.3.2所示的热壁LPCVD装置及相应工艺的出现，在20世纪70年代末被誉为集成电路制造工艺中的一项重大突破性进展。 LPCVD反应器本身是以退火后的石英所构成，环绕石英制炉管外围的是一组用来对炉管进行加热的装置，因为分为三个部分，所以称为“三区加热器”。 气体通常从炉管的前端，与距离炉门不远处，送入炉管内（当然也有其他不同的设计方法）。被沉积的基片，则置于同样以适应所制成的晶舟上，并随着晶舟，放入炉管的适当位置，以便进行沉积。沉积反应所剩下的废气，则经由真空系统而从CVD设备里被排出。 图 6.3.2 热壁LPCVD装置示意图 图6.3.2示的LPCVD采用直立插片增加了硅片容量。由于通常只要求在硅片上单面沉积薄膜，所以每一格可以背靠背地安插两片硅片。 如果每格的片间距为5mm，那么在600mm长的反应区就能放置200片。低压下沉积气体分子的平均自由径比常压下大得多，相应的分子扩散的速率也大得多。 由于气体分子输送过程大大加快，虽然气流方向与硅片垂直，反应的气体分子仍能迅速扩散到硅片表面儿得到均匀的沉积层。 在现代化的大规模集成电路工艺里。以热壁LPCVD进行沉积的材料、主要有多晶硅、二氧化硅及氮化硅等。 工艺所控制的温度，大约在400～850℃左右。压力则在数个Torr到0.1Torr之间。 因为这种CVD的整个反应室都在反应温度下，因此管壁也会有对等的沉积，所以炉管必须定期加以清洗。 (3) 等离子体增强CVD装置 等离子体增强CVD装置通过等离子增强使CVD技术的沉积温度下降几百度，甚至有时可以在室温的衬底上得到CVD薄膜。图6.3.3显示了几种(PECVD)装置。 图6.3.3（a）是一种最简单的电感耦合产生等离子的PECVD装置，可以在实验室中使用 。 图6.3.3(b)是一种平行板结构装置。衬底放在具有温控装置的下面平板上，压强通常保持在133Pa左右，射频电压加在上下平行板之间，于是在上下平板间就会出现电容耦合式的气体放电，并产生等离子体 。 图 6.3.3(c)是一种扩散炉内放置若干平行板、由电容式放电产生等等离子体的PECVD装置。它的设计主要是为了配合工厂生产的需要，增加炉产量。在PECVD工艺中，由于等离子体中高速运动的电子撞击到中性的反应气体分子，就会使中性反应气体分子变成碎片或处于激活的状态容易发生反应。衬底温度通常保持350℃在左右就可以得到良好的SiOx或SiNx薄膜，可以作为集成电路最后的钝化保护层，提高集成电路的可靠性。 为了