数电第2章(门电路)课件.pptVIP

3)三态输出门应用： (1).实现总线传输 在微机系统中，希望在同一条导线上分别传递若干门电路的输出信号，以减少连线数目，这时，可用三态门实现。只要控制各个门的EN端轮流为1，且任何时刻仅有一个为1，就可以把各个门的输出信号轮流送到公共的传输线－总线上而互不干扰－这种连线方式叫做总线结构。 (2). 可利用三态门实现数据的双向传递： EN=1，G1工作，G2高阻，Do经G1反相送至总线。 EN=0，G1高阻，G2工作，总线数据经G2反相从D1端送出。 4. TTL门电路多余输入端的处理 TTL与非门在使用时如果有多余的输入端不用，一般不应悬空，以防止外界干扰信号的侵入。有以下几种处理方法： ①将其经1~3K?的电阻接至电源正端； ②接高电平VH;　 ③与其他信号输入端并接使用。 或门及或非门的多余输入端应接低电平。 与或非门的多余与门其输入端必须接低电平。 5、TTL集成逻辑门电路系列简介（P83-87） 1)．74系列——为TTL集成电路的早期产品，属中速TTL器件。 2)．74L系列——为低功耗TTL系列，又称LTTL系列。 3)．74H系列——为高速TTL系列。 4)．74S系列——为肖特基TTL系列，进一步提高了速度。 抗饱和三极管 抗饱和三极管 TTL系列电路的性能比较 功耗p 延迟时间tpd 延迟-功耗积 P87 表 2.4.1 5．74LS系列——为低功耗肖特基系列。 6．74AS系列——为先进肖特基系列，它是74S系列的后继产品。 7．74ALS系列——为先进低功耗肖特基系列，是74LS系列的后继产品。 其他双极型数字集成电路特点： DTL 二极管-三极管逻辑 速度低 功耗低 ECL 发射极耦合逻辑 速度最高，功耗很大 I2L 集成注入逻辑 集成度高，速度低 ? 2.6 CMOS门电路 2.6.1 CMOS反相器 CMOS逻辑门电路是由N沟道MOSFET和P沟道MOSFET互补而成，成对出现。 N沟道绝缘栅型场效应管 P沟道绝缘栅型场效应管 N沟道结型场效应管 P沟道结型场效应管 倒相器要求： T1是P沟道增强型MOS管，T2是N沟道增强型MOS管。且T1、T2的开启电压分别为VTN、VTP。 当Vi=ViL=0时，有　　　　　　　　，VGS2=0VTN故T1导通，导通内阻很低（小于１K?)，T2截止，内阻很高（108~109?)。输出为高电平VOH，且VOH ? VDD　　　 电路结构及工作原理： VTN VTP 0V 导通 截止 G1 G2 S1 S2 D2 D1 VDD 当Vi=VOH=VDD，则有　　　　　　　，VGS2=VDDVTN ，故T1截止而T2导通，输出为低电平VOL，且VOL ? 0 静态时T1和T2总是工作在一个导通而另一个截止，其截止内阻又极高，流过T1和T2的静态电流极小，所以CMOS反向器的静态功耗极小。 导通 截止 G1 G2 S1 S2 D2 D1 VDD 0V 三、结合电压传输特性介绍几个参数 (1) 输出高电平UOH 　 典型值为3V。 (2) 输出低电平UOL 典型值为0.3V。 (3) 开门电平UON 一般要求UON≤1.8V (4) 关门电平UOFF 一般要求UOFF≥0.8V 在保证输出为额定低电平的条件下，允许的最小输入高电平的数值，称为开门电平UON。 　　在保证输出为额定高电平的条件下，允许的最大输入低电平的数值，称为关门电平UOFF。 UOFF UON 　　(5) 阈值电压UTH 电压传输特性曲线转折区中点所对应的uI值称为阈值电压UTH（又称门槛电平）。通常UTH≈1.4V。 　 　　(6) 噪声容限（ UNL和UNH ） 噪声容限也称抗干扰能力，它反映门电路在多大的干扰电压下仍能正常工作。 UNL和UNH越大，电路的抗干扰能力越强。 UOFF UNL UIL UON UNH UIH ① 低电平噪声容限（低电平正向干扰范围） UNL=UOFF-UIL UIL为电路输入低电平的典型值（0.3V） 若UOFF=0.8V，则有 UNL=0.8-0.3=0.5 (V) ② 高电平噪声容限（高电平负向干扰范围） 　　　　　UNH = UIH - UON UIH为电路输入高电平的典型值（3V） 若UON=1.8V，则有 UNH = 3-1.8 =1.2 (V) TTL门的输入端噪声容限的其它定义(教材P64,门带门情况) 噪声容限：保证输出逻辑状态一定，而允许的输入噪声干扰的电压幅值 输入低电平噪声容限：VNL=VILmax-VOLmax 输入高电平