晶体硅太阳电池扩散工艺V2.ppt

~50 ?/□ 13.203us ~55-60 ?/□ 17.25us 8. 表面掺杂浓度对电池光谱响应的影响 Measure by CHEN 表面轻掺杂浓度显著提高短波段光谱响应 表面轻掺杂减少死层 9. p-n结载流子复合 p-n结构饱和电流密度Joe反映了其载流子复合程度。 Plateau tail surface 10. p-n结载流子复合 V. Nguyen 11. 扩散与镀膜工艺的关联 1. 调整镀膜工艺，提高表面钝化质量 进一步降低表面复合速率，从而降低发射极的载流子复合。 2. 不同的扩散方阻有各自的最优化镀膜工艺(?)。 同一镀膜工艺对不同方块电阻的硅片的钝化效果不一样。 不同方阻的硅片由于表面掺杂浓度不同，应进行优化镀膜工艺。 11 结合扩散方阻设计丝网印刷网版 Sheet resistance 45 60 80 100 Finger line 52 56 62 68 For reference : 栅线遮光 电池填充因子 12. 扩散与烧结 防止烧结温度过高导致的漏电现象 漏电 Ag 栅线 针对不同的方块电阻硅片， 优化 烧结工艺 Junyong Li, Master thesis Ag晶粒 穿透深度 跟Ag 浆料有关 高方阻浆料 M.M. Hilali 在一定方阻下，结合银浆料的性能调节烧结工艺， 充分发挥银浆料的特性。 高方块电阻片烧结 11 扩散设备 公司名称 国家 设备类型 ?北京七星华创电子股份有限公司 中国 扩散炉 ??长沙万全科技开发有限公司 中国 扩散炉 ??中国电子科技集团公司第48研究所 中国 扩散炉 ??Amtech Systems, Inc. 美国 扩散炉 ??Annealsys 法国 扩散炉 ??ASM International N.V. 荷兰 扩散炉 ??Bruce Technologies Inc. 美国 扩散炉 ??BTU International Inc. 英国 扩散炉 ??Centrotherm GmbH 德国 扩散炉 ??Gebr. Schmid GmbH + Co. 德国 扩散炉 ??Koyo Thermo System Co.Ltd. 日本 扩散炉 ??Kraft Project Electronics Ltd 匈牙利 完整生产线 ??Manz Automation AG 德国 扩散炉 ??PVI 美国 扩散炉 ??Qualiflow 法国 扩散炉 ??Semco Engineering 法国 扩散炉 ??SierraTherm Production Furnace Inc. 美国 扩散炉 ??SVCS s.r.o 捷克 扩散炉 ??Tecnofimes Srl 意大利 扩散炉 ??Tempress Systems Inc. 荷兰 扩散炉 ??TPS 美国 扩散炉 ??ZAE Bayern 德国 扩散炉 Source: solarzoom 12. 磷扩散注意事项（一）——工艺卫生 * 保持扩散间洁净度，最好能达到千级。 所有工夹具必须永远保持干净的状态，包括吸笔、石英舟、石英舟叉子、碳化硅臂桨。 吸笔应放在干净的玻璃烧杯内，不得直接与人体或其它未经清洗的表面接触。 石英舟和石英舟叉应放置在清洗干净的玻璃表面上。 碳化硅臂桨暴露在空气中的时间应做到越短越好。 Source: solarzoom 磷扩散注意事项（二）——安全操作 * 所有的石英器具都必须轻拿轻放。 源瓶更换的标准操作过程 　 依次关闭进气阀门、出气阀门，拔出连接管道，更换源瓶，连接管道，打开出气阀门、进气阀门。 Source: solarzoom Source: RENA InDop Source: Longzhong Tao PhD thesis 13. 新型扩散方式——链式 扩散 新型扩散方式——印刷磷掺杂浆料 Shota Suzuki 新型扩散方式——全激光掺杂发射极 E.ELISELE 14. 硅片碘酒钝化 步骤： 1. 采碱溶液或酸溶液去除硅片表面线切割损伤层； 2. 配置碘酒溶液 乙醇（CH3CH2OH）——无水，≥99.9% 碘（I2）——99.8% 乙醇钝化溶液（碘酒）——0.2-5%，推荐100ml 乙醇中混合 1 克碘。 裸片测试 有效寿命偏差太小， 不便判断片源质量 W. McMillan The diffusivity of phosphorus (D[P]) at the phosphorus concentration ([P]) of 1×1019 /cm3 is 5 ~ 7 times larger than the D[P] at [P] = 1×1020 /cm3. T