晶体硅的制备方法.ppt

* 晶体硅的制备方法 一、单晶硅的制备 单晶硅材料是非常重要的晶体硅材料，根据生长方式的不同，可以分为区熔单晶硅和直拉单晶硅。区熔单晶硅主要应用于大功率器件方面，只占单晶硅市场很小的一部分，在国际市场上约占10%左右；而直拉单晶硅主要应用于微电子集成电路和太阳电池方面，是单晶硅的主题。与区熔单晶硅相比，直拉单晶硅的制造成本相对较低，机械强度较高，易制备大直径单晶。所以，太阳电池领域主要应用直拉单晶硅，而不是区熔单晶硅。 单晶炉 直拉单晶硅的制备工艺一般包括： 1、多晶硅的装料和熔化 2、种晶 3、缩颈 4、放肩 5、等径生长 6、收尾等 1、多晶硅的装料和熔化 首先将高纯多晶硅粉碎至适当的大小，并在硝酸和氢氟酸的混合酸液中清洗外表面，以去除可能的金属等杂质，然后放入高纯的石英坩埚中。在装料完成后，将坩埚放入单晶炉中，然后将单晶炉抽成一定真空，再冲入一定流量和压力的保护气，最后给炉体加热升温，加热温度超过硅材料的熔点，使其熔化。 2、种晶 多晶硅熔化后，保温一段时间，使熔硅的温度和流动达到稳定，然后进行晶体生长。在晶体生长时，首先将单晶籽晶固定在旋转的籽晶轴上，然后将籽晶缓慢下降，距液面数毫米处暂停片刻，使籽晶温度尽量接近熔硅温度，以减少可能的热冲击；接着将籽晶轻轻浸入熔硅，使头部首先少量溶解，然后和熔硅形成一个固液界面；随后，籽晶逐步上升，与籽晶相连并离开固液界面的硅温度降低，形成单晶硅，此阶段称为“种晶”。 3、缩颈 种晶完成后，籽晶快速向上提升，晶体生长速度加快，新结晶的单晶硅的直径将比籽晶的直径小，可达3mm左右，其长度约为此时晶体直径的6~10倍，称为“缩颈”阶段。 4、放肩 在“缩颈”完成后，晶体硅的生长速度大大放慢，此时晶体硅的直径急速增大，从籽晶的直径增大到所需的直径，形成一个近180°的夹角，此阶段成为“放肩”。 5、等径 当放肩达到预定晶体直径时，晶体生长速度加快，并保持几乎固定的速度，使晶体保持固定的直径生长。此阶段称为“等径”。 6、收尾 在晶体生长结束时，晶体硅的生长速度再次加快，同时升高硅熔体的温度，使得晶体硅的直径不断缩小，形成一个圆锥形，最终晶体硅离开液面，单晶硅生长完成，最后的这个阶段称为“收尾”。 将多晶硅原料加到石英坩埚 多晶硅原料正在熔化 熔化后稳定温度 籽晶浸入熔硅中 生长以消除位错 晶颈 放肩 等径生长 收尾 直拉单晶硅棒 直拉单晶硅棒，长度从几十厘米到一两米不等 二、多晶硅的制备 直到20世纪90年代，太阳能光伏工业还是主要建立在单晶硅的基础上。虽然单晶硅太阳电池的成本在不断下降，但是与常规电力相比还是缺乏竞争力，因此，不断降低成本是光伏界追求的目标。自20世纪80年代铸造多晶硅发明和应用以来，增长迅速，80年代末期它仅占太阳电池材料的10%左右，而至1996年底它已占整个太阳电池材料的36%，它以相对低成本、高效率的优势不断挤占单晶硅的市场，成为最有竞争力的太阳电池材料。21世纪初已占50%以上，成为最主要的太阳电池材料。 太阳电池多晶硅锭是一种柱状晶，晶体生长方向垂直向上， 1、装料 将装有涂层的石英坩埚放置在热交换台上，加入硅原料，然后安装加热设备、隔热设备和炉罩，将炉内抽真空使炉内压力降至0.05～0.1mbar并保持真空。通入氩气作为保护气，使炉内压力基本维持在400～600mbar左右。 2、加热 利用石墨加热器给炉体加热，首先使石墨部件、隔热层、硅原料等表面吸附的湿气蒸发，然后缓慢加温，使石英坩埚的温度达到1200～1300℃左右。该过程约要4～5h。 3、化料 通入氩气作为保护气，使炉内压力基本维持在400～600mbar左右。逐渐增加加热功率，使石英坩埚内的温度达到1500℃左右，硅原料开始熔化。熔化过程中一直保持1500℃左右，直至化料结束。该过程约要20～22h。 4、晶体生长 硅原料熔化结束后，降低加热功率，使石英坩埚的温度降至1420～1440℃硅熔点左右。然后石英坩埚逐渐向下移动，或者隔热装置逐渐上升，使得石英坩埚慢慢脱离加热区，与周围形成热交换；同时，冷却板通水，使熔体的温度自底部开始降低，晶体硅首先在底部形成，生长过程中固液界面始终保持与水平面平行，直至晶体生长完成，该过程约要20～22h。 5、退火 晶体生长完成后，由于晶体底部和上部存在较大的温度梯度，因此，晶锭中可能存在热应力，在硅片加热和电池制备过程中容易造成硅片碎裂。所以，晶体生长完成后，硅锭保持在熔点附近2～4h，使硅锭温度均匀，减少热应力。