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OLED像素驱动电路的设计及其性能测试
实验日期：2012 05 28 实验者：张著东
实验目的
通过实验复习晶体管性能的测试；
强化具体电路设计的能力；
熟悉OLED像素驱动电路的结构与特点；
提高综合分析问题的能力。
实验内容
两管TFT像素驱动电路的设计与制作
按图1所提供的电路原理，设计出可以测试该驱动电路的实验装置。说明其设计的理由和测试的方法。
两管TFT像素驱动电路性能的测试
测量通过OLED的电流比较其性能，分析图1-（a）与图1-（b）的特性有何不同？
输入特定脉宽的扫描信号和数据信号，分别测量通过两种接法的二极管电流；
保持数据信号脉宽不变，改变扫描脉冲宽度，分别测量通过两种接法的二极管电流；
保持扫描信号脉冲宽度不变，改变数据脉冲宽度，分别测量通过两种接法的二极管电流。
实验步骤
3.1 准备好仪器：两个数字信号发生器，一个万用表和一个稳压电压源。
3.2 连接仪器与电路板的测量点
3.3 开始调试并测试
数据分析
4.1 输入特定脉宽的扫描信号和数据信号，分别测量通过两种接法的二极管的电流。
4.1.1可设定和。
Vd/V
1
2
3
4
5
6
7
7.5
8
8.5
9
9.5
Ia/MA
3.15
3.14
3.12
3.08
3.02
2.98
2.95
2.95
2.94
2.94
2.93
2.93
Ib/MA
3.16
3.16
3.15
3.16
3.16
3.15
3.14
3.12
3.1
3.08
3.06
3.04
Vd/V
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
Ia/MA
2.91
2.91
2.91
2.9
2.89
2.89
2.89
2.88
2.88
2.87
2.87
Ib/MA
3.03
3
2.98
2.97
2.96
2.95
2.95
2.94
2.93
2.93
2.92
分析结果：
数据分析：由于在制作电路的时候，将MOS管的DS极接反了。所以不符合了MOS管的工作从截止区、放大区到饱和区的过程。因此，得出结论是，当MOS管DS接反时，漏源电流ID的变化时呈现从饱和区、放大区和截止区的过程。
4.1.2可设定和。
Vs/V
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
Ia/MA
3.03
3.04
3.04
3.03
3.03
3.04
3.04
3.03
3.03
3.02
Ib/MA
3.13
3.08
3.1
3.12
3.14
3.13
3.1
3.12
3.13
3.14
Vs/V
11
12
13
14
15
16
17
18
19
20
Ia/MA
3.02
3.02
3.03
3.04
3.04
3.03
3.03
3.03
3.03
3.03
Ib/MA
3.12
3.13
3.13
3.1
3.08
3.12
3.12
3.12
3.13
3.13
数据分析：
数据分析：当改变扫描信号的时候，源级电路图1的LED灯电流变化的幅度较小，而恒定电流图2的LED灯电流变化幅度较大。
4.2 保持数据信号脉宽不变，改变扫描脉宽，分别测量通过两种接法的二极管的电流。
4.2.1 可
和。
fs/Hz
1
10
100
200
300
400
500
600
700
800
900
Ia/MA
3.13
3.1
3.09
3.07
3.11
3.1
3.1
3.11
3.1
3.12
3.1
Ib/MA
3.14
3.14
3.12
3.12
3.08
3.04
3.13
3.13
3.12
3.12
3.12
fs/Hz
1K
2K
3K
4K
5K
6K
7K
8K
10K
50K
100K
Ia/MA
3.11
3.11
3.12
3.12
3.1
3.1
3.07
3.05
3.07
3.06
2.98
Ib/MA
3.1
3.04
3.11
3.11
3.14
3.14
3.14
3.14
3.13
3.12
3.14
fs/Hz
200K
300K
400K
500K
600K
700K
800K
900K
1000K
Ia/MA
2.97
2.97
2.96
2.96
2.96
2.95
2.95
2.95
2.94
Ib/MA
3.14
3.14
3.15
3.15
3.15
3.14
3.14
3.14
3.14
数据分析：当改变扫描信号的频率时，LED灯的电流变化不大，但图1和图2有所差异。图1的接法电流会小于图2的接法。
4.3保持扫描信号脉宽不变，改变数据脉宽，分别测量通过两种接法的二极管的电流。
4.3.1可取
和。
fd/Hz
1
1.5
2
2.5
3
3.5
4
4.5
5
5.5
6
6.5
Ia/MA
2.71
1.93
1.31
1.29
1.1
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