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数字逻辑 第7讲 第3章集成逻辑门 本 章 内 容 3.1 数字集成电路的分类 3.2 半导体器件的开关特性 3.3 逻 辑 门 电 路 3.4 逻辑函数的实现 本 章 要 点 熟悉基本开关器件的基本特性，理解其工作状态和状态变换条件。 掌握基本逻辑门电路的基本功能，了解常用集成门电路的基本工作特性。 1.1 HTML简介 3.1 数字集成电路的分类 3.1 数字集成电路的分类 根据所采用的半导体器件进行分类 根据采用的半导体器件，数字集成电路可以分为两大类： 双极型集成电路 用双极型半导体器件作为元件。主要特点是速度快、负载能力强，但功耗较大、 集成度较低。 单极型集成电路(又称为MOS集成电路) 用金属-氧化物半导体场效应管作为元件。主要特点是结构简单、制造方便、集成度高、功耗低，但速度较慢。 3.1 数字集成电路的分类 根据集成电路规模的大小进行分类 SSI (Small Scale Integration ) 小规模集成电路: MSI (Medium Scale Integration ) 中规模集成电路: LSI (Large Scale Integration ) 大规模集成电路: VLSI (Very Large Scale Integration) 超大规模集成电路 1.1 HTML简介 3.2 半导体器件的开关特性 3.2 半导体器件的开关特性 3.2.1 晶体二极管开关特性 3.2.2 晶体三极管的开关特性 3.2.1 晶体二极管开关特性 晶体二极管：P型与N型半导体材料经专门工艺结合在一起，结合面形成具有特殊性质的构造体——PN结。 半导体和PN结 本征半导体 完全纯净 的,具有晶体 结构的半导 体称为本征 半导体 。它 具有共价键 结构。 硅单晶中的共价键结构 价电子 硅原子 在半导 体中，同 时存在着 电子导电 和空穴导 电。空穴 和自由电 子都称为 载流子。 它们成对 出现，成 对消失。 在常温下自由电子和空穴的形成 复合 自由电子 本征 激发 空穴 半导体和PN结 N型半导体和P型半导体 在硅或锗中掺 入少量的五价元 素，如磷，则形 成N型半导体。 P 自由电子 磷原子 正离子 P+ 半导体和PN结 B B- 硼原子 负离子 空穴 填补空位 在硅或锗中掺 入少量的三价元 素，如硼，则形 成P型半导体。 半导体和PN结 PN结 用专门的制造工艺在 同一块半导体单晶上， 形成P型半导体区域 和N型半导体区域， 在这两个区域的交界 处就形成一个PN结。 P 区 N 区 P区的空穴向N区扩散并与电子复合 N区的电子向P区扩散并与空穴复合 空间电荷区 内电场方向 半导体和PN结 PN结的单向导电性：外加正向电压，扩散运动增强，形成较大的正向电流。【多子（电子和空穴）导电】 P区 N区 内电场 外电场 E I 空间电荷区变窄 P区的空穴进入空间电荷区抵消一部分负空间电荷。 N区电子进入空间电荷 区抵消一部分正空间电荷。 半导体和PN结 PN结的单向导电性：外加反向电压，扩散运动减弱，无法形成较大的正向电流，只有少量的反向电流。 空间电荷区变宽 内电场 外电场 IR E P区 N区 半导体和PN结 由上述分析可知，PN结具有单向导电性： 即在PN结上加正向电压时，PN结电阻很低，正向电流较大。（PN结处于导通状态） 加反向电压时，PN结电阻很高，反向电流很小。（PN结处于截止状态） 3.2.1 晶体二极管开关特性 表示符号 面接触型 点接触型 引线 触丝 外壳 N型锗片 N型硅 阳极引线 PN结 阴极引线 金锑合金 底座 铝合金小球 3.2.1 晶体二极管开关特性 表示符号 3.2.1 晶体二极管的符号和开关特性 静态特性 静态特性是指二极管在导通和截止两种稳定状态下的特性。典型二极管的静态特性曲线（又称伏安特性曲线）如图所示。 3.2.1 晶体二极管的符号和开关特性 静态特性 正向特性：使二极管开始导通的正向电压，有时又称为导通电压 （一般锗管约0.3V，硅管约0.7V）。为了避免电流过大，烧坏二极管，一般会串联一个电阻。 反向特性：二极管在反向电压 UR 作用下，处于截止状态，反向电阻很大，反向电流IR 很小。但是反向电压 UR大于某个值时，就会将二极管击穿。 3.2.1 晶体二极管的符号和开关特性 由于二极管的单向导电性，所以在数字电路中经常把它 当作开关使用。 3.2.1 晶体二极管的符号和开关特性 动态特性 二极管的动态特性是指二极管在导通与截止两种状态转换过程中的特性，它表现在完成两种状态之间的转换需要一定的时间。为此，引入了反向恢复时间和开通时间的概念。 3.2.2 晶体三极管的开关特性 三极管的