第10章双极晶体管课件.ppt

10.2少子的分布 其他工作模式：截止和饱和时的少子分布 * 10.2少子的分布 其他工作模式：反向有源区 * 10.3低频共基极电流增益 电流成分＿粒子流 正偏电子流 反向饱电流 正偏复合电流 反偏产生电流 正偏空穴流 基区复合电流 * 10.3低频共基极电流增益 成分 电流 * 10.3低频共基极电流增益 直流共基极电流增益： 若集电结和发射结横截面积一样，则有： 小信号共基极电流增益： JG，Jpc0仅是B-C结电流，不是JE的函数 发射极注入效率系数 基区输运系数 复合系数 * * 10.3低频共基极电流增益 发射极注入效率系数 * 10.3低频共基极电流增益 基区输运系数 * 10.3低频共基极电流增益 复合系数 10.3低频共基极电流增益 共发射极电流增益 共基极电流增益 * * 10. 4非理想效应 基区宽度调制效应：Early效应 * 10. 4非理想效应 基区宽度调制效应 Early电压典型值在100-300V之间。 * 10. 4非理想效应 大注入效应 注入的少子比多子还多 Nb=Pp * 10. 4非理想效应 大注入效应一、注入效率降低　　Jpe增加 大注入效应二：集电极电流增速变小 * 10. 4非理想效应 发射区禁带变窄 PＥ0增加 发射效率降低 发射区掺杂浓度很高时，由于禁带变窄效应，会使电流增益比理想状况下小。 * 10. 4非理想效应 电流集边效应：导致局部过热或局部大注入 * 10. 4非理想效应 非均匀掺杂：浓度梯度导致静电场，改变少子分布 * 10. 4非理想效应 击穿电压：穿通击穿（距离太近）和雪崩击穿（较远） * 10. 5等效电路模型 E-M模型：两个pn结相互作用。多用于开关电路。 * 10. 5等效电路模型 H-P模型 * 10. 5等效电路模型 H-P模型，多应用于放大电路。 * 集电极电流 厄尔利效应电阻 10. 6频率上限 延时因子 * 10. 6频率上限 截止频率 * 共发射极电流增益的幅值下降到其低频值的　　时的频率 10. 7大信号开关 延迟时间 存储时间 上升时间 下降时间 * 10. 7大信号开关 肖特基钳位二极管：使VBC不会太高，少子浓度降低而加快速度 * END * 第10章双极晶体管 10.1双极晶体管的工作原理 结构和符号 * 10.1双极晶体管的工作原理 IE IC IB VEC VCB VBE IE=IC+IB VEC=VEB+VBC=-VBE-VCB 四种工作模式VBE、VCB 正反、反反、反正、正正 正向有源 截止 反向有源 饱和 * 三极管的三种连接方式 三极管在电路中的连接方式有三种： ①共基极接法； ②共发射极接法， ③共集电极接法。 共什么极是指电路的输入端及输出端以这个极作为公共端。 必须注意，无论那种接法，为了使三极管具有正常的电流放大作用，都必须外加大小和极性适当的电压。即必须给发射结加正向偏置电压，发射区才能起到向基区注入载流子的作用； 必须给集电结加反向偏置电压（一般几～几十伏），在集电结才能形成较强的电场，才能把发射区注入基区，并扩散到集电结边缘的载流子拉入集电区，使集电区起到收集载流子的作用。 * 10.1双极晶体管的工作原理 剖面图 * 10.1双极晶体管的工作原理 基本工作原理 杂质浓度 * 回顾8.1 pn结电流　　　定性描述 * 正向有源模式 * 10.1双极晶体管的工作原理 截面图：注入和收集 * 10.1双极晶体管的工作原理 晶体管电流的简化表达式 简化电流 复合电流 正偏电流 空穴(B-E) 电子(E-B) * 10.1双极晶体管的工作原理 集电极电流 扩散电流 ABE为B-E结横截面积；nB0为基区内热平衡电子浓度；Vt为热电压。 只考虑大小： * 10.1双极晶体管的工作原理 发射极电流 ICIE均正比于VBE/Vt，因此电流之比为常数。 共基极电流增益。1 恒流源 * 10.1双极晶体管的工作原理 基极电流 也正比于 共发射极电流增益。1 * 10.1双极晶体管的工作原理 工作模式 IC=0时，晶体管处于截止区 当基极电流变化时，集电极电流没有变化，处于饱和区 当IC=βIB时，晶体管处于正向有源区 饱和区 放大区 截止区 * 10.1双极晶体管的工作原理 共射放大电路 放大电路波形 * 10.2少子的分布 * 10.2少子的分布 正向有源模式 * 10.2少子的分布 浓度 *