f热氧化教案资料.ppt

4.4 热氧化过程中杂质的再分布 由四方面因素决定： 杂质的分凝现象； 杂质在SiO2表面逸出； 杂质在SiO2、Si中的扩散系数； 界面移动（氧化速率） * 分凝 逸出 扩散 界面移动 工艺 掩膜氧化（厚氧化层） 干氧-湿氧-干氧 薄层氧化（MOS栅） 干氧 掺氯氧化 热氧化工艺流程：洗片-升温-生长-取片 * 工艺 热氧化是以消耗衬底为代价的，这类氧化称为本征氧化，以本证氧化生长的二氧化硅薄膜具有玷污少的优点。 热氧化温度高，氧化膜致密性好，针孔密度小。因此，热氧化膜可以用来作为掺杂掩膜和介电类薄膜。 半导体芯片生产中制备SiO2薄膜的常用方法除了热氧化法外，还有热分解淀积法、外延淀积法等。 * 不同工艺制作的SiO2的主要物理性质 氧化方法 密 度 (g/cm2) 折 射 率 (λ=5460?) 电 阻 率 (Ω·cm) 介 电 常 数 介 电 强 度 (106v/cm) 干 氧 2.24～2.27 1.460～1.466 3×1015～2×1016 3.4(10千周) 9 湿 氧 2.18～2.21 1.435～1.458 3.82(1兆周) 水 汽 2.00～2.20 1.452～1.462 1015～1017 3.2(10千周) 6.8～9 热分解淀积 2.09～2.15 1.43～1.45 107～108 外延淀积 2.3 1.46～1.47 7～8×1014 3.54(1兆周) 5～6 * 4.2.2 热氧化机理 在热氧化过程中，氧离子或水分子 能够在已生长的SiO2中扩散进入Si/SiO2面，与硅原子反应生成新的SiO2网络结构，使SiO2膜不断增厚。 与之相反，硅体内的Si原子则不容易挣脱Si共价键的束缚，也不容易在已生长的SiO2网络中移动。 所以，在热氧化过程中，氧化反应将在Si/SiO2界面处进行,而不是发生在SiO2层的外表层，这一特性决定了热氧化的机理。 * 4.2.2 热氧化机理 氧在SiO2中的扩散是以离子形式进行的。 氧离子通过扩散进入达到Si/SiO2界面，然后在界面处于Si发生反应而形成新的SiO2，从而使SiO2层越长越厚。 首先，界面处的一个硅原子夺取邻近SiO2中的两个氧离子，形成新的SiO2，因而出现两个氧离子空位，然后由SiO2层上面的氧离子扩散进入来填补氧离子的空位，这样氧就以SiO2中氧离子空位作为媒介而扩散到Si/ SiO2界面。 （氧离子向内部扩散，而空位向外扩散的过程） * 4.2.2 热氧化机理 干氧氧化含有的氧离子包括通过SiO2的扩散和在界面上与硅发生化学反应两个过程。 在较高温度下，界面化学反应比较快，而氧离子通过SiO2的过程较慢，因此氧化速率将主要取决于氧离子扩散通过SiO2层的快慢。显然，随着氧化的进行， SiO2层不断增厚，氧化速率也就越来越慢。 * 4.2.2 热氧化机理 * 在热氧化的过程中，氧化反应将在SiO2-Si界面处进行，而不发生在SiO2层的外表层； 热氧化是通过扩散与化学反应来完成的，氧化反应是由硅片表面向硅片纵深依次进行的，硅被消耗，所以硅片变薄，氧化层增厚。 * 4.2.3硅的Deal－Grove热氧化模型 Deal－Grove模型（迪尔-格罗夫模型） （线性－抛物线模型，linear-parabolic model) —可以用固体理论解释的一维平面生长氧化硅的模型。 适用于： 氧化温度700～1300 oC； 局部压强0.1~25个大气压； 氧化层厚度为20～2000 nm的水汽和干法氧化 * 气体中扩散 固体中扩散 SiO2 形成 SiO2 Si衬底 气流滞流层 氧化剂流动方向 (如 O2或 H2O） * 热氧化动力学（迪尔-格罗夫模型） 氧化剂输运---气体输运流密度用F1表示 F1=hg(Cg-Cs) （hg 气相质量输运系数） 固相扩散： 化学反应： 热氧化是在氧化剂气氛下进行：O2流密度不变，即准平衡态稳定生长： F1=F2=F3 （Cs、C0、CI） * pg ps F1 F2 F3 SiO2 Si -δ 0 x Cg Cs Co Ci 主流气体 粘滞层 O2 x0 热氧化动力学（迪尔-格罗夫模型） 在平衡条件下，SiO2中氧化剂浓度C*应与气体中的氧化剂分压Pg成正比： C*=HPg * pg ps F1 F2 F3 SiO2 Si -δ 0 x Cg Cs Co Ci 主流气体 粘滞层 O2 x0 4.2.4 热氧化生长速率 * 氧化层生长速率可为界面流量除以单位体积SiO2的氧分子数 假设氧化前硅片表面上存在的初始氧化层厚度为 求解出氧化层生长厚度与生长时间之间的关系式为 其中