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第2章 电力电子器件 2.1 、 电力电子器件的基本模型 2.2 、电力二极管 2.3 、晶闸管 2.4 、可关断晶闸管 2.5 、 电力晶体管 2.6 、电力场效应晶体管 2.7 、 绝缘栅双极型晶体管 2.8 、其它新型电力电子器件 2.9 、电力电子器件的驱动与保护 本章小结 第2章 电力电子器件·引言 电子技术的基础 ——— 电子器件:晶体管和集成电路 电力电子电路的基础 ——— 电力电子器件 本章主要内容: 概述电力电子器件的概念、特点和分类等问题。 介绍常用电力电子器件的工作原理、基本特性、主要参数以及选择和使用中应注意问题。 2.1、电力电子器件的基本模型 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 2.1.2 应用电力电子器件的系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 1)概念: 电力电子器件(Power Electronic Device) ——可直接用于主电路中,实现电能的变换或控制的电子器件。 主电路(Main Power Circuit) ——电气设备或电力系统中,直接承担电能的变换或控制任务的电路。 2)分类: 电真空器件 (汞弧整流器、电子管) 半导体器件 (采用的主要材料硅) 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 能处理电功率的能力,一般远大于处理信息的电子器件。 电力电子器件一般都工作在开关状态。 电力电子器件往往需要由信息电子电路来控制。 电力电子器件自身的功率损耗远大于信息电子器件,一般都要安装散热器。 在对电能的变换和控制过程中,电力电子器件可以抽象成下图2.1.1所示的理想开关模型,它有三个电极,其中A和B代表开关的两个主电极,K是控制开关通断的控制极。它只工作在“通态”和“断态”两种情况,在通态时其电阻为零,断态时其电阻无穷大。 2.1.1 电力电子器件的概念和特征 通态损耗是器件功率损耗的主要成因。 器件开关频率较高时,开关损耗可能成为器件功率损耗的主要因素。 2.1.2 应用电力电子器件系统组成 2.1.3 电力电子器件的分类 半控型器件(Thyristor) ——通过控制信号可以控制其导通而不能控制其关断。 全控型器件(IGBT,MOSFET) ——通过控制信号既可控制其导通又可控制其关 断,又称自关断器件。 不可控器件(Power Diode) ——不能用控制信号来控制其通断, 因此也就不需要驱动电路。 2.1.3 电力电子器件的分类 电流驱动型 ——通过从控制端注入或者抽出电流来实现导通或者 关断的控制。 如:晶闸管、门极可关断晶闸管、功率晶体管、IGCT等; 电压驱动型 ——仅通过在控制端和公共端之间施加一定的电压信号就可实现导通或者关断的控制。 如:代表性器件为MOSFET管和IGBT管。 2.2 不可控器件—电力二极管 2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.2 电力二极管的基本特性 2.2.3 电力二极管的主要参数 2.2.4 电力二极管的主要类型 2.2 不可控器件—电力二极管·引言 2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 基本结构和工作原理与信息电子电路中的二极管一样。 由一个面积较大的PN结和两端引线以及封装组成的。 从外形上看,主要有螺栓型和平板型两种封装。 2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 N型半导体和P型半导体结合后构成PN结: 内电场:空间电荷建立的电场,也称自建电场,其方向是阻止扩散运动的,另一方面又吸引对方区内的少子(对本区而言则为多子)向本区运动,即漂移运动。 空间电荷:交界处电子和空穴的浓度差别,造成了各区的多子向另一区的扩散运动,到对方区内成为少子,在界面两侧分别留下了带正、负电荷但不能任意移动的杂质离子。这些不能移动的正、负电荷称为空间电荷。 空间电荷区:扩散运动和漂移运动最终达到动态平衡,正、负空间电荷量扩散运动和漂移运动最终达到动态平衡,正、负空间电荷量达到稳定值,形成了一个稳定的由空间电荷构成的范围,被称为空间电荷区,按所强调的角度不同也被称为耗尽层、阻挡层或势垒区。 2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 2.2.1 PN结与电力二极管的工作原理 PN结的电荷量随外加电压而变化,呈现电容效应,称为结电容CJ,又称为微分电容(外加电压变化时起作用)。 结电容按其产生机制和作用的差别分为势垒电容CB和扩散电容CD (仅在正向偏置时起作
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