第12章集成逻辑门电路.pptVIP

N沟道耗尽型MOS管 制造时,在sio2绝缘层中掺入大量的正离子,即使uGS =0，在正离子的作用下，源-漏之间也存在导电沟道。只要加正向uDS ，就会产生iD。 结构示意图 P 源极S 漏极D 栅极G B N+ N+ 正离子 反型层 SiO2 只有当uGS小于某一值时，才会使导电沟道消失，此时的uGS称为夹断电压uGS(off) 。 12.3 场效应管与MOS逻辑门 N沟道耗尽型MOS管 d N沟道符号 B s g P沟道符号 d B s g d B s g N沟道符号 d B s g P沟道符号 耗尽型MOS管符号 增强型MOS管符号 12.3 场效应管与MOS逻辑门 12.3 场效应管与MOS逻辑门 NMOS管的开关作用 re RD ui G D S +UDD uo ui uo G D S RD +UDD 截止状态等效电路 ui uo G D S RD +UDD 导通状态等效电路 当 ui UGS(th) 当 ui UGS(th) 截止时：iS = 0 ，RDS 109Ω ，相当于漏极和源极断开。 导通时：RDS 1K Ω，若 RD RDS ，相当于漏极和源极短路。 12.3 场效应管与MOS逻辑门 NMOS反相器 re RD ui G D S +UDD uo 导通时，要求 RD RDS ，但集成电路内部比较难集成大阻值电阻。 T2 ui +UDD (10V) uo T1 开关管 负载管 12.3 场效应管与MOS逻辑门 NMOS反相器 re T2 ui +UDD (10V) uo T1 当 ui = 8V 时，T1管导通，输出uo为低电平 当 ui = 0V 时，T1管截止，输出电压为： uo = uDS1 = UDD – uDS2 = (10-2)V = 8V 12.3 场效应管与MOS逻辑门 CMOS非门电路 re 互补对称MOS电路结构采用P沟道和N沟道增强型MOS管按照互补对称形式连接而成。 特点： 功耗低 工作电压电流范围宽 抗干扰能力强 输入电阻高 扇出系数大 集成度高 T2 ui +UDD uo T1 CL NMOS管 PMOS管 改善输出波形提高工作速度 12.3 场效应管与MOS逻辑门 CMOS非门电路 re T2 ui +UDD uo T1 CL ui =１ 导通 截止 uo= 0 12.3 场效应管与MOS逻辑门 CMOS非门电路 re T2 ui +UDD uo T1 CL ui = 0 截止 Ugs2 = ?UDD 导通 uo= 1 12.3 场效应管与MOS逻辑门 CMOS与非门电路 re T2 T1 T3 T4 +UDD F A B ①A、B当中有一个或全为低电平时，T1、T2中有一个或全部截止，T3、T4中有一个或全部导通，输出F为高电平。 ②只有当输入A、B全为高电平时，T1和T2会都导通，T3和T4都截止，输出Y才会为低电平。 12.3 场效应管与MOS逻辑门 CMOS或非门电路 re ①A、B当中有一个或全为高电平时，T1、T2中有一个或全部导通，T3、T4中有一个或全部截止，输出F为低电平。 ②只有当输入A、B全为低电平时，T1和T2会都截止，T3和T4都导通，输出Y为高电平。 T3 T4 +UDD T1 T2 A B F 两个并联的PMOS管作为负载管 两个串联的NMOS管作为驱动管 12.3 场效应管与MOS逻辑门 CMOS传输门电路 re TG c ui c uO +5V -5V VP VN C C ui uO s 电路特点： 增强型PMOS和NMOS管按照闭环互补形式连接； 两管的源极连接在一起作为输入端 两管的漏极连接在一起作为输出端 VP衬底接5V电压；VN衬底接-5V电压 两管的栅极接互补信号 12.3 场效应管与MOS逻辑门 CMOS传输门电路 re +5V -5V VP VN C C ui uO s 当C接低电平时：VP的栅极为高电平，此时两管都处于截止状态，传输门的输入和输出之间呈现高阻状态。 当C接高电平时：VP的栅极为低电平，此时两管都处于导通状态，传输门的输入和输出之间呈现导通状态。 利用 CMOS传输门和反相器可以组合成各种复杂的逻辑电路，如异或门、数据选择器、寄存器、计数器等。 12.3 场效应管与MOS逻辑门 CMOS传输门电路 re 用反相器和传输门构成异或门电路 TG1 TG2 A B F 12.3 场效应管与MOS逻辑门 CMOS三态门电路 re 当C接高电平时：T3和T4处于截止状态，输入和输出之间呈现高阻状态。 1 T2 T1 T3 T4 ui uO C +UDD 当C接低电平时：T3和T4处于导通状态，输入和输出之间是非门逻辑关系：uO = ui。 12.3