第2章双极型晶体管及放大电路基础.ppt

* 发射结加正偏时，从发射区将有大量的电子向基区扩散，形成的电流为IEN。与PN结中的情况相同。 从基区向发射区也有空穴的扩散运动，但其数量小，形成的电流为IEP。这是因为发射区的掺杂浓度远大于基区的掺杂浓度。 进入基区的电子流因基区的空穴浓度低，被复合的机会较少。又因基区很薄，在集电结反偏电压的作用下，电子在基区停留的时间很短，很快就运动到了集电结的边上，进入集电结的结电场区域，被集电极所收集，形成集电极电流ICN。在基区被复合的电子形成的电流是 IBN。 * 当uCE=0 V时，因集电极无收集作用，iC=0。当uCE稍增大时，发射结虽处于正向电压之下，但集电结反偏电压很小，如 uCE 1 V uBE=0.7 V uCB= uCE- uBE= 0.7 V 集电区收集电子的能力很弱，iC主要由uCE决定 * ICICM并不代表三极管会损坏，而是失去放大作用，小功率管一般在十几或200毫安左右，而大功率管则在几安以上 PCM=ICUCB 指的是集电极电流通过集电结时所产生的功耗的最大值，本来应该等于2个PN结消耗的功耗和，但是由于发射结正偏，处于地阻状态，所以功耗主要消耗在集电结上。则PCM=ICUCE * 反向电压反映三极管电极间承受反向电压的能力。一般V(BR)CBO 30-50v V (BR)CEO 15-50v V(BR) EBO 4-5v * 数字式万用表一般都有测三极管放大倍数的挡位(hFE), 使用时 , 先确认晶体管类型 , 然后将被测管子 e 、b 、c三脚分别插入数字式万用表面板对应的三极管插孔中,表显示出hFE 的近似值。 * 一个基本的放大电路必须的组成部分，输入信号源、晶体管、输出负载以及直流电源和相应的偏置电路。直流电源的相应的偏置电路的作用是为晶体管提供静态工作点，以保证晶体管工作在放大区。输入信号源一般把非电量转换为电量的换能器，如各种传感器，把声音信号转换为电信号的话筒，将图像转换为电信号的摄像管。它提供的电压信号或电流信号就是基本放大电路的输入信号。 本文主要介绍低频小信号的放大。 各类放大电路是一种能量转换器，而能量是不能放大的。放大电路将弱小信号放大的工程并不是电能被放大的过程，而是一个将电源所提供的直流功率中的一部分转换成交流功率输出给负载的一部分。在这一过程中，需要对被转换的这一部分功率进行控制，使其随输入信号的变化规律而变化。即当输入为正弦波的时候，输出在负载上的交流电压和电流也是同频率的正弦波。能实现这种控制作用的器件就是晶体管或场效应管。在整个过程中，放大电路需要一个外部直流电源支持，一方面为晶体管提供所需要的偏置电压，另一方面提供电路的功率消耗和功率输出 * 由于通常按照正弦量定义的，所以通常用向量来表示 * 如果对于电源而言，Ri越大获得的电流越小，则信号源需要提供的功率就越小 * 对于电压源而言，输出电阻越小，则输出电压越稳定，对于电流源而言，输出电阻越大，则输出电流就越稳定 * 当电路的频率过大或过小，电抗性元件的作用开始显现，放大倍数就会减小，而在中间的一段频率范围内，因各种电抗性的元件的作用可以忽略不计，放大倍数表现为一个定值。 * 晶体管是放大电路的核心部分，作为放大元件它必须工作在放大区，它具有能量转换和电路控制的能力，当微弱的输入信号ui使晶体管积极电流iB产生微小的变化时，就会使集电极电流ic产生较大的变化。 Vcc是集电极直流电源，为信号的功率放大提供能量，Rc是集电极负载电阻，集电极电流iC通过Rc，从而将电流的变化转换为集电极电压的变化，然后传送到放大电路的输出端。基极偏置电阻Rb的作用，一方面为晶体管的发射结提供正向偏置电压，同时为晶体管提供一个静态基极电流iB.输入电容c保证信号加到发射结，不影响发射结偏置。输出电容保证信号输送到负载，不影响集电结偏置。 * Q1-Q2,静态工作点发生改变了，且斜率发生改变，斜率变大，IB不变，ICQ*RL’减少，而uCE增大，则可以减少RC Q2-Q3，静态工作点改变，但交流负载线不变，所以，只要增加iB即可，可以减少Rb Q3-Q4，斜率不变，但是静态工作点发生变化，RC//RL不变，vce增大，则vcc增加 * 注意：共基极电路电路 ，输入是发射极，输出的是集电极 * 共射共基电路之所以在很多场合得到广泛应用，主要是因为它有别的电路达不到的高频特性（带宽、稳定度）；而且附带获得更大的输出阻抗（这对于调谐回路有好处） --高频电路里的知识了 * 多级放大电路的连接，产生了单元电路间的级联问题，即耦合问题。放大电路的级间耦合必须要保证信号的传输，且保证各级的静态工作点正确。 * 阻容耦合放大电路的缺点是低频特性差。