4-4MOS场效应晶体管.ppt

2．最高工作频率 fM fM —— 功率增益等于1时的频率； 栅-沟道电容CGC 当栅-源之间输入交流信号之后，从栅极增加流进沟道的载流子分成两部分，其中一部分对栅-沟道电容CGC充电，另一部分径直通过沟道流进漏极，形成漏-源输出电流。 当信号频率? 增加，流过CGC的信号电流增加，从源流入沟道的载流子用于增加栅沟道电容充电的部分，直至? 增大到足够大，使全部沟道电流用于充电，则漏极输出信号为0，即流入电容CGC的电流等于输入信号引起的沟道电流时的频率? 是管的最高工作频率? M 。 管跨导愈大，最高工作频率愈高； 栅极-沟道电容CGC愈小，最高工作频率也愈高; 管的高频优值 gm/CGC ——衡量管的高频特性，比值愈高， 高频特性愈好。 提高fM ，从结构方面应当使沟道长度缩短到最低限度，也必须尽可能增大电子在沟道表面的有效迁移率?n。 硅材料电子迁移率?n比空穴迁移率?p大 。 n ?M = 2? fM 4.6 MOS管的开关特性(Switching feature) 开关状态——管主要工作在两个状态，导通态和截止态； 两种开关特性——本征与非本征开关延迟特性； 本征延迟：载流子通过沟道的传输所引起的大信号延迟； 非本征延迟：被驱动的负载电容充-放电以及管之间的RC