位错反应与层错理论课件.pptVIP

位错反应与层错理论;面心立方晶体中的典型位错; ;位错反应能否进行取决于两个条件： ①几何条件：反应前的柏氏矢量和等于反应后的柏氏矢量和。;①一个位错分解成两个或多个具有不同柏氏矢量的位错，面心立方晶体中一个全位错分解成两个肖克莱不全位错。;FCC 中，以全位错分解成两个肖克莱位错为例。;Thompson四面体：可以帮助确定fcc结构中的位错反应。沿(111)面，定义每个面的中点坐标为：;α;实例计算;;用于表示fcc晶体中的位错反应;;;;;所有希－希向量也都可以根据向量合成规则求得：;;面心立方中扩展位错的进一步解释： ;; 但如果滑移分两步完成，即先从 B1位置沿A原子间的“低谷”滑移到邻近的C位置，即 ；然后再由C滑移到另一个 B2位置，即 ，这种滑移比较容易。 ; 每一步滑移造成了层错，因此，层错区与正常区之间必然会形成两个不全位错。故 和 为肖克莱不全位错。也就是说，一个全位错 分解为两个肖克莱不全位错 和 ，全位错的运动由两个不全位错的运动来完成，即 ;2) 扩展位错 ;;（1）扩展位错的宽度;当 f 与层错能γ相等时，处于平衡 ∴ 扩展位错的宽度:;;在外力作用下，扩展位错收缩成原来的全位错的过程称为束集。;由于扩展位错只能在其所在的滑移面上运动，若要进行交滑移，扩展位错必须首先束集成全螺位错，然后交滑移到 面上，重新分解成新的扩展位错，继续运动。;扩展位错的交滑移过程;（3）位错网络 Dislocation network;设：;反应过程——; 该扩展位错在各自的滑移面上相向移动，当扩展位错中的一个不全位错到达交线BC时，发生位错反应：;面心立方结构中，在 和 面上有两个全位错b1和b2： ;两个全位错b1和b2发生分解，形成扩展位错： ;在外力作用下，两个扩展位错向两个滑移面的交线处滑移。两个领先不全位错b12和b21在交线[110]处相遇，发生合成反应：