炭材料科学第二讲(结构).pptVIP

四种结晶碳的晶格参数 3、碳的相图 3.1 金刚石和石墨的形成及转化条件 C(diamand) C(graphite) ΔH=-2.1KJ/mol 石墨低压稳定相、金刚石高压稳定相 3.2 碳的相图 A：石墨催化转化为金刚石的区域 B：石墨自发快速转化为金刚石的区域 C：金刚石自发快速转化为石墨的区域 D：石墨自发缓慢转化为金刚石的区域 T1: 4100K P1: 12GPa T2: 4020±50K P2: 12.25 ±1.47MPa 相图呈现的仅为热力学稳定相，只要动力学稳定，即使热力学不稳定的相在普通条件下也可能稳定存在； 碳原子的生成热： C60 ΔH=10.16kcal/克分子 C70 ΔH=9.65kcal/克分子 Graphite ΔH=0kcal/克分子 Diamond ΔH=0.4kcal/克分子 3.3 实际炭的晶体结构特征 理想晶体与实际晶体 石墨均为多晶体，即由周期性排列有限的微晶(各向异性的碳六元环网平面堆叠)构成，微晶取向不一定完全相同，还有许多晶体缺陷：空穴、间隙原子、位错、杂质、形变等. 多晶石墨的结构特征： 1）晶体结构单元小，通常不超过60nm； 2）六角平面网层内部通常有缺陷； 3）六角平面网层之间的排列不规整，层间距大且不一致； 4）层平面的堆积有序性较差，a方向与c轴法线有一定角度，择优取向性差。 炭材料中的结构缺陷 A、层面堆积缺陷； 六角网格层面可能是完整无缺的，但层面堆叠成块时，可能呈不规则堆叠，没有晶体的有规排列或者层面扭转一定角度。 B、碳六角网格内的缺陷—边缘缺陷、孔洞、位错、弯曲、原子离位等。 * 边缘：碳网边缘连接不同的官能团如-OH-O—CH3等；钳形缺陷；在边缘官能团斥力作用下，碳网平面弯曲、位错。 * 碳原子杂化态不同引起的结构缺陷； * 杂原子取代所造成的化学缺陷。 C、孔隙缺陷—分子缺陷（平面大分子间距，3.354-3.44~3.7A）、 微孔 2nm 中孔 2-50nm 大孔 50nm 按照孔的形状，又可分为： o. Open pore c. Closed pore t. Transport pore b. Blind pore 石墨化程度的表征 石墨化度：XRD: d002 La Lc Maire and Mering d002=3.354g+3.440(1-g) g=0-1 g=(3.440- d002)/(3.440-3.354) L(hkl)=kλ /βcosθ ICCTC (International Committee for Characterization and Terminology of Carbon) 1）Carbonization (炭化) is a process of formation of material with increasing carbon content from organic material, usually by pyrolysis, ending with an almost pure carbon residue at temp. up to 1600K. 2) Graphitization （石墨化） is a solid state transformation of thermodynamically unstable non-graphitic carbon into graphite by thermal activation. The degree of graphitization depends upon the temp. of the heat treatment and the time allowed to anneal structure. 四、一些基本概念及名词解释 3) Non-graphitizable Carbon （不可石墨化炭） are those which cannot be transformed into graphitic carbon solely by heat treatment up to 3300K under atmospheric or lower pressure. 4) Graphitizable Carbon (可石墨化炭) are those which can be transformed into graphiti