第15章 基本放大电路课件.ppt

2. 耗尽型绝缘栅场效晶体管 (3) P 沟道耗尽型管 符号： 预埋了P型 导电沟道 SiO2绝缘层中 掺有负离子 耗尽型 增强型 G、S之间加一定电压才形成导电沟道 在制造时就具有原始导电沟道 3. 场效晶体管的主要参数 (1) 开启电压 UGS(th)：是增强型MOS管的参数 (2) 夹断电压 UGS(off)： (3) 饱和漏电流 IDSS： 是结型和耗尽型 MOS管的参数 (4) 低频跨导 gm：表示栅?源极电压对漏极电流的 控制能力 极限参数：最大漏极电流、耗散功率、击穿电压。 场效晶体管与双极型晶体管的比较 15.9.2 场效晶体管放大电路 场效晶体管具有输入电阻高、噪声低等优点,常用于多级放大电路的输入级以及要求噪声低的放大电路。 场效晶体管的源极、漏极、栅极相当于双极型晶体管的发射极、集电极、基极。 场效晶体管的共源极放大电路和源极输出器与双极型晶体管的共发射极放大电路和射极输出器在结构上也相类似。 场效晶体管放大电路的分析与双极型晶体管放大电路一样，包括静态分析和动态分析。 1.自给偏压偏置电路 15.9.2 场效晶体管放大电路 栅?源极电压UGS是由场效晶体管自身的电流提供的,故称自给偏压。 UGS = –RSIS = –RSID T为N沟道耗尽型场效晶体管 增强型MOS管因UGS = 0时， ID ? 0，故不能采用自给偏压式电路。 静态分析可以用估算法或图解法(略) 估算法： UGS = – RSID 由 UDS= UDD –ID(RD+ RS) 解出UDS。 列出静态时的关系式 对增强型MOS管构成的放大电路需用图解法来确定静态值。 将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式,解出UGS、ID。 例:已知UDD=20V、RD=3k?、RS=1k?、RG=500k?、UGS (off) = –4 V、IDSS= 8mA，确定静态工作点。 解：用估算法。 UGS = – 1? ID UDS= [20 – 2(3 + 1) ]V = 12 V 列出关系式 解出 UGS1 = –2V、UGS2 = –8V、ID1=2mA、ID2=8mA 因UGS2 UGS(off) 故舍去 ，所求静态解为 UGS = –2V ID=2mA 2. 分压式偏置电路 (1) 静态分析 估算法： 将已知的UGS(off)、IDSS代入上两式，解出UGS、ID。 由 UDS= UDD – ID(RD+ RS) 解出UDS 列出静态时的关系式。 流过 RG 的电流为零 (2) 动态分析 电压放大倍数 输入电阻 输出电阻 RG是为了提 高输入电阻 ri 而设置的。 3. 源极输出器 电压放大倍数 特点与晶体管的射极输出器一样。 英文教科书舍弃200 * 输入电阻：极端思维方法 最小 短路 二极管 正向导通 压降0.7 死区电压 克服内电场的作用 它取决于导通电流与环境温度 * 戴维南 U=Ucc*R2/(R1+R2) R=R1//R2 /view/1277174.htm BTL电路的优点有只需要单电源供电，(但还是有用双电源)且不用变压器和大电容，输出功率高。 缺点是所用管子数量多，很难做到管子特性理想对称，且管子总损耗大，转换效率低。 BTL电路的主要特点有：可采用单电源供电，两个输出端直流电位相等，无直流电流通过扬声器，与OTL、OCL电路相比，在相同电源电压、相同负载情况下，BTL电路输出电压可增大一倍，输出功率可增大四倍，这意味着在较低的电源电压时也可获得较大的输出功率 其中一个放大器的输出是另外一个放大器的镜像输出，也就是说加在负载两端的信号仅在相位上相差180°。负载上将得到原来单端输出的2倍电压。从理论上来讲电路的输出功率将增加4倍 * 双端输入?双端输出差分电路的差模电压放大倍数为 当在两管的集电极之间接入负载电阻时 式中 两输入端之间的差模输入电阻为 两集电极之间的差模输出电阻为 例: 在前图所示的差分放大电路中,已知UCC=12V, ?UEE =?12V, ? =50, RC=10k?, RE =10k?, RB=20 k?， RP =100 ?, 并在输出端接负载电阻RL = 20k?, 试求电路的静态值和差模电压放大倍数。 解: 式中 单端输出时差分电路的差模电压放大倍数为 即单端输出差分电路的电压放大倍数只有双端输出差分电路的一半。 双端输入分双端输出和单端输出两种