磁控溅射等离子发光.pptVIP

直流溅射——二级溅射 放电电流与气压和偏压的关系： i～K(P)Vm；K(P)随气压的增加而增加，m≈5或更大； 离子平均能量随气压的增加而下降，溅射产额降低； 沉积率在100mTorr附近最大； 薄膜生长速率： Pdensity功率密度(W/cm2)、g阴-阳极间距、E 平均溅射能量 γe汤生二次电子发射系数、ρ原子密度，与材料有关 xth溅射原子热化的平均距离，与气体压强有关； * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 直流溅射——二级溅射 * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 直流溅射——二级溅射 * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 直流溅射——三极、空心 三极溅射： 溅射原理：利用灯丝热电子发射离化气体产生等离子体，通过靶负偏压溅射靶材料； 缺点：等离子体密度不均匀 优点：可以在低气压下放电； 空心溅射： 溅射原理：放电等离子体在空心阴极内部产生溅射；依靠空心阴极内部的负辉光区加速电子，增强气体电离率； 电流密度比平面辉光放电高1 ～2个数量级； * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 交流溅射 * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 直流溅射对导电性好的材料具有比较高的溅射率；但当有活性气体存在时，由于表面氧化导致溅射率下降；而且对绝缘材料不能溅射；交流溅射可以弥补这一不足； 交流溅射的频率划分： 低频溅射： 1MHz，离子的运动可以跟上电场的变化，导致阴极和阳极交替产生溅射； 高频（射频）溅射： 1MHz，离子的运动跟不上电场的变化，而电子随电场的变化产生振荡产生自偏压，导致阴极溅射； 射频溅射 * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 射频溅射 * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 射频溅射 增加接地面积可以减少器壁溅射，降低薄膜污染； * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 射频溅射 * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 磁控溅射 * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 磁控溅射 * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 磁控溅射 * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 磁控溅射 * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 反应溅射 * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * 反应溅射 * 薄膜电子学·信息与电子工程学系 * (3)影响溅射率的因素—入射离子种类 溅射率与入射离子种类的关系： 1)依赖于入射离子的原子量，入射离子的原子量越大，则溅射率越高； 2)与入射离子的原子序数有关，呈现出随离子的原子序数周期性变化的关系。这和溅射率与靶材料的原子序之间存在的关系相类似。 3)在周期表每一横排中，凡电子壳层填满的元素作为入射离子时，就有最大的溅射率。因此，惰性气体的溅射率最高。 一般情况下，入射离子多采用惰性气体，同时还能避免与靶材料起化学反应。通常选用氩为工作气体。 图3-7 溅射率与入射离子的原子序数的关系 (4)影响溅射率的因素—入射离子的入射角 入射角是指离子入射方向与被溅射靶材表面法线之间的夹角。 图3-8为Ar+的入射角与几种金属的溅射率的关系。由实验曲线可见： 1) 随着入射角的增加溅射率逐渐增大，在0-600之间的相对溅射率基本上服从1/cosθ 规律,既S(θ)/S(0)=1/cosθ , S(θ)和S(0)分别为θ角和垂直入射时的溅射率。 Ar+的入射角与几种金属的溅射率的关系 2) 600时的值为垂直入射(θ=0)时的2倍左右。 3) 当入射角为600- 800时，溅射率最大。 4)入射角再增加时，溅射率急剧减小，当等于900时，溅射率为零。 图3-8 Ar+的入射角与几种金属的溅射 率的关系 实验结论(1/3) 1、溅射率与离子入射角的典型关系曲线如图3-9所示。表明： 1)对于不同的靶材和入射离子而言，对应的最大溅射率S值，有一个最佳的入射角θm。 2)不同的离子加速电压，对入射角θm值也存在一定影响。 图3-9 溅射率与离子入射角的典型关系 实验结论(2/3) 2、另外，大量实验结果表明，不同入射角θ的溅射率值S(θ)，和垂直入射时的溅射率值S(0)，对于不同靶材和入射离子的种类，有以下结果： 1) 对于轻元素靶材,S(θ)/S(0) 比值变化显著； 2)重离子入射时,S(θ)/S(0)的比值变化显著； 3)随着入射离子能量的增加， S(θ)/S(0)呈最大值的角度逐渐增大； 4)S(θ)/S(0)的最大值，在入射离子的加速电压超过2kV时，急剧减小。 实验结论(3/3) 3、一般说来,入射角度与溅射率的关系： 对金、银、铜、铂等影响较小； 对铝、铁、钛、钽等影响较大； 对