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管式PECVD初步讲解;目录;一.PECVD技术;What’s Plasma? 什么是等离子体？
地球上，物质有三态，即：固，液，气。
其共同点是由原子或分子组成，即基本单元是原子和分子，且为电中性。
等离子体：气体在一定条件下受到高能激发，发生电离，部分外层电子脱离原子核，形成电子、正离子和中性粒子混合组成的一种形态，这种形态就称为等离子态，即第四态。
等离子体从宏观来说也是电中性，但是在局部可以为非电中性。;PECVD技术原理:利用低温等离子体作能量源，样品置于低气压下辉光放电的阴极上，利用辉光放电（或另加发热体）使样品升温到预定的温度，然后通入适量的反应气体，气体经一系列化学反应和等离子体反应，在样品表面形成固态薄膜。
PECVD方法区别于其它CVD方法的特点在于等离子体中含有大量高能量的电子，它们可以提供化学气相沉积过程所需的激活能。电子与气相分子的碰撞可以促进气体分子的分解、化合、激发和电离过程，生成活性很高的各种化学基团，因而显著降低CVD薄膜沉积的温度范围，使得原来需要在高温下才能进行的CVD过程得以在低温实现。 ;特点：
PECVD的一个基本特征是实现了薄膜沉积工艺的低温化（450℃）。因此带来的好处：
节省能源，降低成本
提高产能
减少了高温导致的硅片中少子寿命衰减;其它方法的沉积温度：
APCVD—常压CVD，700-1000℃
LPCVD—低压CVD, ~750℃, ~0.1mbar
对比
PECVD — 300-450 ℃，~0.1mbar;二.管式PECVD基本原理;二.管式PECVD基本原理;三.管式PECVD基本组成;三.管式PECVD基本组成;三.管式PECVD基本组成;三.管式PECVD基本组成;三.管式PECVD基本组成;三.管式PECVD基本组成;三.管式PECVD基本组成;三.管式PECVD基本组成;三.管式PECVD基本组成
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