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黄河水利职业技术学院 曾令琴 PN结的形成 PN结的单向导电性 （1）外加正向电压—正偏 当PN结加上正向电压，即P区接电源正极(高电位)，N区接电源负极(低电位)。此时，称PN结加正向偏置电压，简称“正偏”. （2）外加反向电压—反偏 当PN结加上反向电压，即P区接电源负极(低电位)，N区接电源正极(高电位)。此时，称PN结加反向偏置电压，简称“反偏”. 电工电子技术 电工电子技术 主编 曾令琴 第6章 电子技术中常用半导体器件 第7章 基本放大电路 第8章 集成运算放大器 第9章 组合逻辑电路 第10章 触发器和时序逻辑电路 第11章 存储器 第12章 数/模和模/数转换器 6.1 半导体的基本知识 物质按导电能力的不同可分为导体、半导体和绝缘体三 大类。金属导体的电导率一般在105s/cm量级；塑料、云母 等绝缘体的电导率通常是10-22~10-14s/cm量级；半导体的电 导率则在10-9~102s/cm量级。 半导体的导电能力虽然介于导体和绝缘体之间，但半导 体的应用却极其广泛，这是由半导体的独特性能决定的： 1. 半导体的独特性能 光敏性——半导体受光照后，其导电能力大大增强； 热敏性——受温度的影响，半导体导电能力变化很大； 掺杂性——在半导体中掺入少量特殊杂质，其导电 能力极大地增强； 半导体材料的独特性能是由其内部的导电机理所决定的。 2. 本征半导体和杂质半导体 (1)本征半导体 最常用的半导体为硅(Si)和锗(Ge)。它们的共同特征是四价 元素，即每个原子最外层电子数为4个。 + + Si(硅原子) Ge(锗原子) 硅原子和锗原子的简化模型图 Si +4 Ge +4 因为原子呈电中性，所以简化模型图中的原子核只用带圈的+4符号表示即可。 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 硅和锗原子结构 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 从共价键晶格结构来看，每个原子外层都具有8个价电子。但价电子是相邻原子共用，所以稳定性并不能象绝缘体那样好。 在游离走的价电子原位上留下一个不能移动的空位，叫空穴。 受光照或温度上升影响，共价键中价电子的热运动加剧，一些价电子会挣脱原子核的束缚游离到空间成为自由电子。 由于热激发而在晶体中出现电子空穴对的现象称为本征激发。 本征激发的结果，造成了半导体内部自由电子载流子运动的产生，由此本征半导体的电中性被破坏，使失掉电子的原子变成带正电荷的离子。 由于共价键是定域的，这些带正电的离子不会移动，即不能参 与导电，成为晶体中固定不动的带正电离子。 ＋ ＋ ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 受光照或温度上升影响，共价键中其它一些价电子直接跳进空穴，使失电子的原子重新恢复电中性。 价电子填补空穴的现象称为复合。 参与复合的价电子又会留下一个新的空位，而这个新的 空穴仍会被邻近共价键中跳出来的价电子填补上，这种价 电子填补空穴的复合运动使本征半导体中又形成一种不同 于本征激发下的电荷迁移，为区别于本征激发下自由电子 载流子的运动，我们把价电子填补空穴的复合运动称为空 穴载流子运动。 半导体的导电机理与金属导体导电机理有本质上的区别： 金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电；而半导体中 则是本征激发下的自由电子和复合运动形成的空穴两种载流 子同时参与导电。两种载流子电量相等、符号相反，即自由 电子载流子和空穴载流子的运动方向相反。 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 自由电子载流子运动可以形 容为没有座位人的移动；空穴 载流子运动则可形容为有座位 的人依次向前挪动座位的运动。 半导体内部的这两种运动总是 共存的，且在一定温度下达到 动态平衡。 半导体的导电机理 (2)杂质半导体 本征半导体虽然有自由电子和空穴两种载流子，但由于数 量极少导电能力仍然很低。如果在其中掺入某种元素的微量 杂质，将使掺杂后的杂质半导体的导电性能大大增强。 + 五价元素磷(P) ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 P 掺入磷杂质的硅半导体晶格中，自由电子的数量大大增加。因此自由电子是这种半导体的导电主流。 在室温情况下，本征硅中的磷杂质等于10-6数量级时，电 子载流子的数目将增加几十万倍。掺入五价元素的杂质半导 体由于自由电子多而称为电子型半导体，也叫做N型半导体。 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 ＋4 三价元素硼(B) B + 掺入硼杂质的硅半导体晶格中，空穴载流子的数量大大增加。因此空穴是这种半导体的导电主流。