半导体存储器-2-只读存储器.ppt

7.2 只读存储器(ROM) * EPROM ：光擦除（紫外管曝光），电改写（热电子） 优点：耐久性好、结构简单、集成度高、适于低成本大容量应用 缺点：擦除慢、编程功耗大，不适于频繁改写。 E2PROM ：电擦除（ FN 隧穿，逐管），电改写（ FN 隧穿） 优点：耐久性好、编程可逆（改写时加反向电压即可擦除） 缺点：阈值电压难以精确控制，需加选通管，故面积大、工艺成本高 Flash ROM ：电擦除（FN 隧穿，成块），电改写（热电子） 优点：结构简单、擦除快（成块擦除）；面积和灵活性介于EPROM 和 E2PROM 之间 V 位 线 VI 字线 可擦除可编程 ROM －－小结 V DD 为什么可编程还叫ROM？ 事实上，只有掩模ROM是只读的，其它都可以编程写，所以，叫法不准确； ROM共同特点是，掉电后，所存储的数据不会消失，所以可以归类为非易失性存储器(即Non-Volatile Memory) * 7.3 随机存储器RAM 随机存储器（Random Access Memory）的分类 一、静态随机存储器（Static Random Access Memory） 靠锁存器的自保功能存储数据。 二、动态随机存储器（ Dynamic Random Access Memory） 利用MOS管栅极电容可以存储电荷的原理制成，结构简单 需要刷新电路，操作复杂 * 7.3 随机存储器RAM 7.3.1 静态随机存储器（Static Random Access Memory） 一、结构与工作原理 随机存储器，可随时读出或写入数据； 优点是读、写方便，使用灵活； 缺点：数据易失性，断电则数据丢失； * 1024X4位RAM(2114)实例 字线选行 位线选列 双向数据传输 A9 * 二、SRAM的存储单元 六管N沟道增强型MOS管 * 7.4 存储器容量的扩展 7.4.1 位扩展方式 适用于每片RAM,ROM字数够用而位数不够时 方法：将各片的地址线、读写线、片选线并联即可 例：用八片1024 x 1位→ 1024 x 8位的RAM * 7.4.2 字扩展方式 适用于每片RAM,ROM位数够用而字数不够时 1024 x 8 RAM 例：用四片256 x 8位→1024 x 8位 RAM 7.4 存储器容量的扩展 28=256 210=1024 * 0 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 1 0 7.4 存储器容量的扩展 * 方法：片内地址信号并联；多余地址端通过译码器接至各片的片选端；I/O同名端并联。 * 小结：位扩展方式 N= 目标存储器容量 已有存储器容量 需要片数N=8 例：用1024字×1位RAM构成1024字×8位RAM. 方法：所有输入信号都并联（地址信号、片选信号和读写信号）。输出并列。 7.4 存储器容量的扩展 * 小结、字扩展方式 N= 目标存储器容量 已有存储器容量 需要片数N=4 例：用256字×8位RAM组成1024字×8位存储器。 7.4 存储器容量的扩展 * 方法：片内地址信号并联；多余地址端通过译码器接至各片的片选端；I/O同名端并联。 7.4 存储器容量的扩展 * 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 一、基本原理 从ROM的数据表可见： 若以地址线为输入变量，则数据线即为一组关于地址变量的逻辑函数 地 址 数 据 A1 A0 d3 d2 d1 d0 0 0 0 1 0 1 0 1 1 0 1 1 1 0 0 1 0 0 1 1 1 1 1 0 A0~An-1 W0 W(2n-1) * 二、举例 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 * ROM的每个输出都是由地址输入的最小项之和的形式给出的，因此可以用来实现组合逻辑函数。 例：用ROM实现由8421-BCD码到七段显示器的译码器。 七段显示LED数码管 (a) 外形图 (b) 共阴型 (c) 共阳型 公共阴极 公共阳极 高电平驱动 低电平驱动 7.5 用存储器实现组合逻辑函数 * 4.3 常用组合逻辑电路部件 1 1 1 1 1 1 0 0 1 1 0 0 0 0 1 1 0 1 1 0 1 1 1 1 1 0 0 1 0 1 1 0 0 1 1 1 0 1 1 0 1 1 0 0 1 1 1 1 1 1 1