第14章二极管和晶体管(2).pptVIP

稳压管正偏变普通，反偏才是工作态，工作端电压不变，限流电阻需配合。 晶体管三个工作区， 放大截止与饱和。 平行一簇放大区， 发射结正偏集电极结反， 集电基极成正比。 IB 近零截止区， 发射结反偏集电极结反， 基集电流近似零。 起始一段饱和区， 发射结正偏集电结正， 集电极电流不再增。 共射极接法很常见发射结正偏集电结反基极小电流被放大发射结正偏集电结正集电极电流被限制发射结反偏集电结反集电极电流难输出 基极电流作判断： 电流小于等于零， 截止区里IC见。 电流大于饱和值， 饱和区里I不变。 电流不大且不小， 放大功能才出现。 14.6 光电器件 光电二极管的反向电流随光照强度的增加而上升。 I U 照度增加 符号 光电二极管 有正向电流流过时，发出一定波长范围的光，目前的发光管可以发出从红外到可见波段的光，它的电特性与一般二极管类似，正向电压较一般二极管高，电流为几 ~ 几十mA 光电二极管 发光二极管 * * * * * * * 14.3.2 伏安特性 硅管0.5V, 锗管0.1V。 反向击穿 电压U(BR) 导通压降 外加电压大于死区电压二极管才能导通。 外加电压大于反向击穿电压二极管被击穿，失去单向导电性。 正向特性 反向特性 特点：非线性 硅0.6~0.8V锗0.2~0.3V U I 死区电压 P N + – P N – + 反向电流 在一定电压 范围内保持 常数。 14.3.3 伏安特性的折线化 US I 0 U I 0 U 14.3.4 主要参数 1. 最大整流电流 IOM 二极管长期使用时，允许流过二极管的最大正向平均电流。 2. 反向工作峰值电压URWM 是保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，一般是二极管反向击穿电压UBR的一半或三分之二。二极管击穿后单向导电性被破坏，甚至过热而烧坏。 3. 反向峰值电流IRM 指二极管加最高反向工作电压时的反向电流。反向电流大，说明管子的单向导电性差，IRM受温度的影响，温度越高反向电流越大。 二极管电路分析举例 定性分析：判断二极管的工作状态 导通截止 否则，正向管压降 硅0.6~0.7V锗0.2~0.3V 分析方法：将二极管断开，分析二极管两端电位 的高低或所加电压UD的正负。 若 V阳 V阴或 UD为正( 正向偏置 )，二极管导通 若 V阳 V阴或 UD为负( 反向偏置 )，二极管截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。 电路如图，求：UAB V阳 =－6 V V阴 =－12 V V阳V阴 二极管导通 若忽略管压降，二极管可看作短路，UAB =－ 6V 否则， UAB低于－6V一个管压降，为－6.3Ｖ或－6.7V 例1： 取 B 点作参考点，断开二极管，分析二极管阳极和阴极的电位。 二极管起钳位作用。 D 6V 12V 3k? B A UAB + – 14.3.5 应用举例 14.3.5 应用举例 例2: 图中电路，输入端A的电位VA=+3V，B的电位VB=0V，求输出端Y的电位VY。电阻R接负电源-12V。 VY=+2.7V 解： DA优先导通， DA导通后， DB上加的是反向电压，因而截止。 DA起钳位作用， DB起隔离作用。 -12V A B +3V 0V DB DA Y 返回 ui 8V，二极管导通，可看作短路 uo = 8V ui 8V，二极管截止，可看作开路 uo = ui 已知： 二极管是理想的，试画出 uo 波形。 8V 例3： 二极管的用途： 整流、检波、 限幅、钳位、开 关、元件保护、 温度补偿等。 ui 18V 参考点 二极管阴极电位为 8 V D 8V R uo ui + + – – 半导体常见是硅锗， 价电子受激变自由， 热激发复合找平衡， 三类特性同呈现， 热敏光敏与掺杂。 导电能力增强法， 掺杂提高最显著， 掺五增加是电子， 掺三增加是空穴。 多子运动靠扩散， 少子运动是漂移， 扩散漂移终平衡， 平衡空间电荷生， 空间电荷内电场， 电场组扩又支漂， PN结正偏加PN， 正偏导通二极管， 扩散电流正向流。 反偏二极管截止， 漂移电流流反向。 14.4 稳压二极管 稳压管正常工作时加反向电压 使用时要加限流电阻 稳压管反向击穿后，电流变化很大，但其两端电压变化很小，利用此特性，稳压管在电路中可起稳压作用。 1. 符号 _ + ? UZ UZ IZ IZM ? IZ 2. 伏安特性 U I O 一种特殊的面