第2章_半导体与PN结-2.pptVIP

2.4.3复合理论--表面复合 任何在半导体内部或表面的缺陷和杂质都会促进复合，电池表面 是一个复合率非常高的区域。 高复合率导致表面附近的区域的少子枯竭。 表面复合率受到扩散到表面的载流子的速率的限制。 “表面复合率”的单位为cm/sec，被用来描述表面的复合。 对大多数半导体来说最大速度为1×107cm/sec。 2.4.3复合理论--表面复合 半导体表面的缺陷是由于晶格排列在表面处的中断照成的，即在表面处产生挂键。减少挂键的数目可以通过在半导体表面处生长一层薄膜以连接这些挂键，这种方法也叫做表面钝化 2.5.1载流子的运动 --半导体中载流子的运动 自由载流子：导带中的电子和价带中的空穴 载流子运动：在一定温度下，在随机方向运动的载流子都有特定的速度。 散射长度：在与晶格原子碰撞之前，载流子在随机方向运动的距离长度。一旦与原子发生碰撞，载流子将往不同的随机方向运动。 载流子的速度决定于晶格的温度。在温度为T 的半导体内载流子的平均运动能量为1/2 mv2 2.5.1载流子的运动 --半导体中载流子的运动 2.5.2载流子的运动--扩散 如果半导体中一个区域的载流子浓度要比另一个区域的高，那么，由于不停的随机运动，将引起载流子的势运动。当出现这种情况时，在两个不同浓度的区域之间将会出现载流子梯度。载流子将从高浓度区域流向低浓度区域。这种载流子的流动叫做“扩散”，是由于载流子的随机运动引起的。 在器件的所有区域中，载流子往某一方向的运动的概率是相同的。在高浓度区域，数量庞大的载流子不停地往各个方向运动，包括往低浓度方向。然而，在低浓度区域只存在少量的载流子，这意味着往高浓度运动的载流子也是很少的。这种不平衡导致了从高浓度区域往低浓度区域的势运动。 2.5.2载流子的运动--扩散 扩散的速率决定于载流子的运动速度和两次散射点相隔的距离。在温度更高的区域，扩散速度会更快，因为提高温度能提高载流子的热运动速度。 扩散现象的主要效应之一是使载流子的浓度达到平衡，就像在没有外界力量作用半导体时，载流子的产生和复合也会使得半导体达到平衡。 2.5.3载流子的运动--漂移运动 在半导体外加一个电场可以使做随机运动的带电载流子往一个方向运动。 在没有外加电场时，载流子在随机方向以一定的速度移动一段距离。 在加了电场之后，其方向与载流子的随机方向叠加。那么，如果此载流子是空穴，其在电场方向将做加速运动，电子则反之。 在特定方向的加速运动导致了载流子的势运动。载流子的方向是其原来方向与电场方向的向量叠加。 2.5.3载流子的运动--漂移运动 由外加电场所引起的载流子运动叫“漂移运动”。漂移运动不仅发生在半导体材料中，在金属材料中同样存在。 2.6.1 P-N结--p-n结二极管 p-n结二极管的结构不仅是太阳能电池结构的基础还是其它许多电子器件的基础，如LEDS、激光、光电二极管还有双极结二极管（BJTS）。一个pn结把之前所描述的载流子复合、产生、扩散和漂移全部集中到一个器件中。 p-n结的形成 2.6.1P-N结--p-n结二极管 热平衡时，由于耗尽区的电场的存在，载流子之间的产生、复合、扩散以及漂移将会达到平衡。 然而，统计数据显示，有一些载流子会以很高的速度往p-n结方向运动，最终穿过电场。一旦多子穿过电场就会变成另一区的少子。在被复合之前，这个载流子将继续做远离电场的扩散运动，运动距离等于平均扩散长度。 由载流子通过扩散运动穿过电场而产生的电流叫做扩散电流。 2.6.1 P-N结--p-n结二极管 平衡状态下载流子运动 到达扩散区与耗尽区的交界处时，少子会被电场拉到耗尽区。由此形成的电流叫做漂移电流。在平衡状态下，漂移电流的大小受到少子数目的限制，这些少子是在与耗尽区的距离小于扩散长度的区域通过热激发产生的。 在平衡状态下，半导体的净电流为零。电子的漂移电流与电子的扩散电流是相互抵消的。同理，空穴的漂移电流与空穴扩散电流也是相互抵消的。 2.6.2P-N结--p-n结的偏置 半导体器件共有三种状态模式： 1. 热平衡状态 在热平衡模式下，半导体没有额外的刺激，如光照射或外加电压。载流子的电流相互抵消所以在器件内没有净电流。 2. 稳态 在恒稳模式下，将有光线照射或施有外加电压，但这些条件并不随时间而改变。器件通常处在稳定状态，要么正向偏压要么反向偏压。 3. 突变状态 当施加的电压迅速改变时，太阳能电池的对变化的响应将会出现