电力电子第9章电力电子器件应用的共性问题.pptVIP

I I M t 1 t 2 t 3 t 4 图9-2　理想的晶闸管触发脉冲电流波形 t1~t2?脉冲前沿上升时间（1?s）　 t1~t3?强脉冲宽度　 IM?强脉冲幅值（3IGT~5IGT） t1~t4?脉冲宽度　　 I?脉冲平顶幅值（1.5IGT~2IGT） ■晶闸管的触发电路 ◆作用：产生符合要求的门极触发脉冲，保证晶闸管在需要的时刻由阻断转为导通。 ◆晶闸管触发电路往往还包括对其触发时刻进行控制的相位控制电路。 ◆触发电路应满足下列要求 ?触发脉冲的宽度应保证晶闸管可靠导通，比如对感性和反电动势负载的变流器应采用宽脉冲或脉冲列触发。 ?触发脉冲应有足够的幅度，对户外寒冷场合，脉冲电流的幅度应增大为器件最大触发电流的3~5倍，脉冲前沿的陡度也需增加，一般需达1~2A/?s。 ?触发脉冲应不超过晶闸管门极的电压、电流和功率定额，且在门极伏安特性的可靠触发区域之内。 ?应有良好的抗干扰性能、温度稳定性及与主电路的电气隔离。 * 9.1.2 晶闸管的触发电路 图9-3 常见的晶闸管触发电路 ■常见的晶闸管触发电路 ◆由V1、V2构成的脉冲放大环节和脉冲变压器TM和附属电路构成的脉冲输出环节两部分组成。 ◆当V1、V2导通时，通过脉冲变压器向晶闸管的门极和阴极之间输出触发脉冲。 ◆VD1和R3是为了V1、V2由导通变为截止时脉冲变压器TM释放其储存的能量而设的。 ◆为了获得触发脉冲波形中的强脉冲部分，还需适当附加其它电路环节。 * 9.1.2 晶闸管的触发电路 O t t O u G i G 图9-4 推荐的GTO门极电压电流波形 ■电流驱动型器件的驱动电路 ◆GTO和GTR是电流驱动型器件。 ◆GTO ?开通控制与普通晶闸管相似，但对触发脉冲前沿的幅值和陡度要求高，且一般需在整个导通期间施加正门极电流，使GTO关断需施加负门极电流，对其幅值和陡度的要求更高。 ?GTO一般用于大容量电路的场合，其驱动电路通常包括开通驱动电路、关断驱动电路和门极反偏电路三部分，可分为脉冲变压器耦合式和直接耦合式两种类型。 幅值需达阳极电流的1/3左右，陡度需达50A/?s，强负脉冲宽度约30?s，负脉冲总宽约100?s 施加约5V的负偏压，以提高抗干扰能力。 * 9.1.3 典型全控型器件的驱动电路 图9-5 典型的直接耦合式GTO驱动电路 ?直接耦合式驱动电路 √可避免电路内部的相互干扰和寄生振荡，可得到较陡的脉冲前沿；缺点是功耗大，效率较低。 √电路的电源由高频电源经二极管整流后提供，VD1和C1提供+5V电压，VD2、VD3、C2、C3构成倍压整流电路提供+15V电压，VD4和C4提供-15V电压。 √V1开通时，输出正强脉冲；V2开通时，输出正脉冲平顶部分； √V2关断而V3开通时输出负脉冲；V3关断后R3和R4提供门极负偏压。 * 9.1.3 典型全控型器件的驱动电路 t O i b ◆GTR ?开通的基极驱动电流应使其处于准饱和导通状态，使之不进入放大区和深饱和区。 ?关断时，施加一定的负基极电流有利于减小关断时间和关断损耗，关断后同样应在基射极之间施加一定幅值（6V左右）的负偏压。 ?GTR的一种驱动电路 √包括电气隔离和晶体管放大电路两部分。 √VD2和VD3构成贝克箝位电路，是一种抗饱和电路，可使GTR导通时处于临界饱和状态； √C2为加速开通过程的电容，开通时R5被C2短路，这样可以实现驱动电流的过冲，并增加前沿的陡度，加快开通。 ?驱动GTR的集成驱动电路中，THOMSON公司的UAA4002和三菱公司的M57215BL较为常见。 图9-6 理想的GTR基极驱动电流波形 图9-7 GTR的一种驱动电路 * 9.1.3 典型全控型器件的驱动电路 图9-8 电力MOSFET的一种驱动电路 ■电压驱动型器件的驱动电路 ◆电力MOSFET和IGBT是电压驱动型器件。 ◆为快速建立驱动电压，要求驱动电路具有较小的输出电阻。 ◆使电力MOSFET开通的栅源极间驱动电压一般取10~15V，使IGBT开通的栅射极间驱动电压一般取15 ~ 20V。 ◆关断时施加一定幅值的负驱动电压（一般取 -5 ~ -15V）有利于减小关断时间和关断损耗。 ◆在栅极串入一只低值电阻（数十欧左右）可以减小寄生振荡，该电阻阻值应随被驱动器件电流额定值的增大而减小。 ◆电力MOSFET