第1章电力电子器件第三讲.pptVIP

特点： (1)垂直安装漏极，实现垂直导电，这不仅使硅片面积得以充分利用，而且可获得大的电流容量； (2)设置了高电阻率的N－区以提高电压容量； (3)短沟道(1 ～ 2μm)降低了栅极下端SiO2层的栅沟本征电容和沟道电阻，提高了开关频率； (4)载流子在沟道内沿表面流动，然后垂直流向漏极。 2.6.1 电力场效应管及其工作原理 VDMOS的典型结构 1、电力场效应管的结构 （熟练掌握） 图1.6.1 N沟道VDMOS管元胞结构与电气符号 第1章 2.6.1 电力场效应管及其工作原理 1、电力场效应管的结构（续） 第1章 VDMOS的漏极电流ID受控于栅压UGS ； 1.6.1 电力场效应管及其工作原理 图1.6.1 N沟道VDMOS管元 胞结构与电气符号 2、电力场效应管的工作原理 （1）截止： 栅源电压 UGS≤0 或 0＜UGS≤UT (UT为开启电压，又叫阈值电压)； （2）导通： UGS＞UT时，加至漏极电压UDS＞0； （3）漏极电流ID ： 第1章 1.6.2 电力场效应晶体管的特性与主要参数 在不同的UGS下，漏极电流ID 与漏极电压UDS 间的关系曲线族称为VDMOS的输出特性曲线 。如图2.6.2所示，它可以分为四个区域： 1）截止区：当UGS＜UT(UT的典型 值为2~4V)时； 2）线性(导通)区：当UGS＞UT且 UDS很小时，ID和UGS几乎成 线性关系。又叫欧姆工作区； （图示的非饱和区。) 3）饱和区(又叫有源区)： 在UGS＞UT时， 且随着UDS的增大，ID几乎不变; 4）雪崩区：当UGS＞UT，且 UDS 增大到一定值时； 1、静态输出特性（理解） 图1.6.2 VDMOS管的输出特性 第1章 沟道体区表面发生强反型所需的最低栅极电压称为VDMOS管的阈值电压。 一般情况下将漏极短接条件下，ID=1mA时的栅极电压定义为UT。实际应用时，UGS=(1.5～2.5)UT，以利于获得较小的沟道压降。 UT还与结温Tj有关，Tj升高，UT将下降(大约Tj每增加45℃，UT下降10%，其温度系数为-6.7mV／℃)。 。 1.6.2 电力场效应晶体管的特性与主要参数 2、主要参数（了解） (1)通态电阻Ron 在确定的栅压UGS下，VDMOS由可调电阻区进入饱和区时漏极至源极间的直流电阻称为通态电阻Ron。Ron是影响最大输出功率的重要参数。 在相同条件下，耐压等级越高的器件其Ron值越大，另外Ron随ID的增加而增加，随UGS的升高而减小。 (2) 阈值电压UT 第1章 IDM表征器件的电流容量。当UGS=10V，UDS为某一数值时，漏源间允许通过的最大电流称为最大漏极电流。 （1.6.1） 2、主要参数 （续） (3) 跨导gm 跨导gm定义 表示UGS对ID的控制能力的大小。实际中高跨导的管子具有更好的频率响应。 (4) 漏源击穿电压U（BR）DS U（BR）DS决定了VDMOS的最高工作电压，它是为了避免器件进入雪崩区而设立的极限参数。 (5) 栅源击穿电压U（BR）GS U（BR）GS是为了防止绝缘栅层因栅源间电压过高而发生介电击穿而设立的参数。一般BUGS=±20V。 (6) 最大漏极电流IDM 第1章 1.6.2 电力场效应晶体管的特性与主要参数 图1.6.3 VDMOS极间 电容等效电路 （1.6.2） 2、主要参数 (7) 最高工作频率fm 定义； 式中CIN为器件的输入电容, 一般说来，器件的极间电容如图2.6.3所示。图中 输入电容： 输出电容： 反馈电容： （1.6.3） （1.6.4） （1.6.5） 第1章 1.6.2 电力场效应晶体管的特性与主要参数 图1.6.4 VDMOS开关 过程电压波形图 （1.6.7） （1.6.6） (8)开关时间ton与 toff （了解） 开通时间： 延迟时间td：对应输入电压信号上升 沿幅度为10%Uim 到输出电压信号下降沿 幅度为10%Uom 的时间间隔。 上升tr时间：对应输出电压幅度由10%Uo变化到90%Uom的时间，这段时间对应于Ui向器件输入电容充电的过程。 关断时间: 存储ts时间：对应栅极电容存储电荷的 消失过程。 下降时间tf在VDMOS管中，ton和toff都可以控制得比较小，因此器件的开关速度相当高。 第1章