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P阱CMOS芯片的工艺流程 25.引线孔光刻：第八次光刻 如下图： PSG N-Si P P- P+ N+ N+ P阱CMOS芯片的工艺流程 PSG N-Si P+ P- P+ N+ N+ P阱CMOS芯片的工艺流程 26.真空蒸铝 27.铝电极反刻 综合26、27两步如图： Al PSG 薄膜加工工艺参数计算 三、薄膜加工工艺参数计算 （1）阱区注入时掩蔽膜厚度的计算以及验证和生长 离子注入 P阱形成 高温推进 由P阱的方块电阻 B注入补偿后的杂质计量 薄膜加工工艺参数计算 由衬底电阻率 查表可知 若P阱结深5um 则补偿杂质剂量 与 相比可以忽略，故注入剂量： 若取注入能量E=45kev则 离子注入后采用快速热退火使杂质充分活化和晶格损伤降至最低。最后在T=1200 下进行推进达到结深要求 当T=1200 时 注入后的 推进 可以看做有限表面源扩散则推进所需时间为： 根据最小掩蔽膜公式对于CMOS器件： T=1200 时 =0.62um 对于实际器件掩蔽膜厚度应为 的1.5~2倍 薄膜加工工艺参数计算 故氧化掩蔽膜厚度为1.24um 采用干-湿-干法生成 对于 : T=1200 时 干氧： 湿氧： 第一步：15min干氧 由： 知： 薄膜加工工艺参数计算 薄膜加工工艺参数计算 第二步:湿氧135min 先将前部干氧对次步的影响算出： =1.16um 采用公式： 得： 第三步：干氧15min 先将前部干氧对次步的影响算出： =2150.7min 薄膜加工工艺参数计算 采用公式： 得： 所以综上：掩蔽膜厚度即符合结深要求，又有适当工艺生成。 （2）生长600 的垫氧化层 为了使后道工艺対前道工艺的影响小，此时T取1100 采用干氧生成。 对于 : T=1100 时 由公式： 得：t=23.57min 薄膜加工工艺参数计算 薄膜加工工艺参数计算 （3）生长场氧化层厚度为1um： 选取湿氧工艺，T取1100 则:对于 由公式： 得：t=139.4min (4)栅氧化生长厚度为417 ： 选取T=1000 干氧氧化 则:对于 薄膜加工工艺参数计算 由公式： 得：t=45.95min (5)多晶硅栅层淀积：选择LPCVD化学汽相淀积，厚度5000 温度T取600 (6) 膜淀积：选择LPCVD低压化学气相淀积，厚度1000 温度T取600 P阱CMOS芯片制作工艺设 计 结束 Thanks 人有了知识，就会具备各种分析能力， 明辨是非的能力。 所以我们要勤恳读书，广泛阅读， 古人说“书中自有黄金屋。 ”通过阅读科技书籍，我们能丰富知识， 培养逻辑思维能力； 通过阅读文学作品，我们能提高文学鉴赏水平， 培养文学情趣； 通过阅读报刊，我们能增长见识，扩大自己的知识面。 有许多书籍还能培养我们的道德情操， 给我们巨大的精神力量， 鼓舞我们前进。 * School of sciences XUT School of sciences 制作：韩光、黄云龙、 黄文韬 P阱CMOS芯片制作工艺设计 MOS管的器件结构参数确定 确定P阱CMOS芯片的工艺流程 薄膜加工工艺参数计算 给