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* * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * 表7-5　2817A工作方式选择(Vcc=+5V) 引脚 方式 CE (20) OE (22) WE (27) RDY/BUSY (1) 输入/输出 (11～13)(15～19) 读 VIL VIL VIH 高阻 DOUT 维持 VIH 任意 任意 高阻 高阻 字节写入 VIL VIH VIL VIL DIN 字节擦除 字节写入之前自动擦除 EEPROM 2817A的特点是+5V电擦除在线读写。 其写的速度慢，且按字节写入，写入时间大约为16ms，其写操作如同静态RAM 的写操作一样。 其读的速度与EPROM只读速度相当,读出时间最大为250ns。 编程实例 如果要将2817A的7F00H～7FFFH范围内的256个单元依次写入0，1，…，0FFH，可运行下面的程序： ORG 0100H START: MOV DPTR,#7F00H；置地址指针初值 MOV A,#00H LOOP: MOVX @DPTR,A ；将A的内容写至2817A中 WAIT: JNB P1.0,WAIT ； 一个字节未写完，循环等待 INC DPTR ； 指针加1 INC A ；A内容加1 CJNE A,#00, LOOP ；未写完，继续 RET EEPROM2864A A0～A12 地址线 I/O０～I/O7 双向数据线 CE 片选线 OE 输出使能 WE 写入使能 NC 空脚 图7－14　2864A管脚配置 bit 表7-6 2864A工作方式选择 引脚 方式 CE (20) OE (22) WE (27) I/O0～I/O7 (11～13)(15～19) 维持 VIL × × 高阻 读 VIH VIL VIH DOUT 写 VIL VIH 负脉冲 DIN DATA查询 VIL VIL VIH DOUT 2864A四种工作方式 ①维持和读出方式：2864A的维持和读出方式与普通的EPROM或SRAM完全相同。 ②写入方式：2864A提供了两种数据写入操作方式。字节写入和页面写入。 字节写入—2864A的字节写入特性与前面介绍的2817A字节写入特性完全相同 。 页面写入—为了提高写入速度，2864A片内设置了16字节的“页缓冲器”并将整个存储器阵列划分成512页，每页16字节。因此,页的区分可由地址的高9位（A4～A12）来确定。地址线的低四位（A0～A3）用以选择页缓冲器中的16个地址单元之一。 把数据写入2864A的存储单元可分成两步来完成： 第一步，在软件控制下把数据写入页缓冲器，此过程称之为“页加载”周期。 第二步，2864A在内部定时电路控制下,页缓冲器的内容送到地址指定的EEPROM单元内，既为“页存储”周期。 由于2864A内部时序要求在“页加载”周期内，完成一个字节数据的写入操作时间tBLW须满足3μs＜tBLW＜20μs,故用户程序应按此要求操作2864A，这是正确完成2864A页面写入操作的关键。 ③ 数据查询方式 数据查询是指用软件来检测写操作中的“页存储”周期是否完成。 在“页存储”期间，如对2864A执行读操作，那么读出的是最后写入的字节，若芯片的转储工作未完成，则读出数据的最高位是原来写入字节最高位的反码。据此，CPU可判断芯片的编程是否结束。如果CPU读出的数据与写入的数据相同，表示芯片已完成编程，CPU可继续向芯片加载下一页数据。 向2864A加载一个页面的数据（16字节）。程序中，设源数据存放在外部数据存储器中，其首地址设为SOADD，2864A用R0来寻址，源程序清单如下： PAGELOAD: MOV R1,#10H ；计数初值 MOV DPTR,#SOADD ；源地址送DPTR