《电工电子学（第2版）》林小玲第1章 电路和电路元件（下）.pptVIP

第1章 电路和电路元件 (电子器件） 上海大学 自动化系 林小玲 几个概念 （1）本征激发：当本征半导体的温度升高或受到光照时，某些共价键中的价电子从外界获得能量而挣脱共价键的束缚，离开原子而成为自由电子的同时，在共价键中会留下数量相同的空位子→空穴。这种现象称为本征激发。 　　　本征激发形成: 电子 - 空穴对 （2）自由电子：价电子获得外部能量后挣脱共价键的束缚成为自由电子，带负电荷。 （3）空 穴：价电子成为自由电子后在共价键中留下的空位，带正电荷。 （4）电子-空穴对：本征激发形成电子-空穴对。 （5）漂移电流： 自由电子在电场作用下定向运动形成的电流称为漂移电流。 （6）空穴电流： 空穴在电场作用下定向运动形成的电流称为空穴电流。 因为 相对于电子电流，价电子填补空穴的运动相当于带正电荷的空穴在与价电子运动相反的方向运动，因而空穴相对来说带正电荷，故其运动形成空穴电流。 （7）复 合： 自由电子在热运动过程中和空穴相遇而释放能量，造成电子-空穴对消失，这一过程称为复合。 在半导体中存在两种载流子（运动电荷的载体）即：自由电子→→带负电 ； 空 穴→→带正电 。 在电场作用下，电子的运动将形成电子电流，而空穴的运动则形成空穴电流， 在同一电场作用下，两种载流子的运动方向相反，但因为它们所带的电荷极性也相反，所以两种电流的实际方向是相同的。 电子电流与空穴电流的总和即半导体中的电流。 本征半导体导电特性小结 在绝对零度时不导电 温度↑——价电子获能量 结论 不论P型或N型半导体，掺杂越多，掺杂浓度越大，多子数目就越多，多子浓度就越大，少子数目越少，其浓度也小。 掺杂后，多子浓度都将远大于少子浓度，且即使是少量掺杂，载流子都会有几个数量级的增加，表明其导电能力显著增大。 在杂质半导体中，多子浓度近似等于掺杂浓度，其值与温度几乎无关，而少子浓度也将随温度升高而显著增大，直到少子浓度增大与多子浓度相当（不绝对相等），杂质半导体又回复到类似的本征半导体。 注意： 在今后的分析中，我们会遇到这样的问题：少子浓度的温度敏感特性是导致半导体器件温度特性变差的主要原因。 而掺入不同的杂质，就能改变杂质半导体的导电类型，这也是制造PN结和半导体器件的一种主要方法。 §1.4.3.2 PN结的单向导电性 2. PN 结加反向电压（反向偏置） 2. PN 结加反向电压（反向偏置） ③ 空间电荷区 —— 在PN结的交界面附近，由于扩散运动使电子与空穴复合，多子的浓度下降，则在P 区和N区分别出现了由不能移动的带电离子构成的区域，这就是空间电荷区，又称为阻挡层，耗尽层，垫垒区。 ④ 内部电场——由于空间电荷区（即PN结的交界面两侧的带有相反极性的离子电荷）将形成由N区指向P区的电场E，这一内部电场的作用是阻挡多子的扩散，加速少子的漂移。 ⑤ 耗尽层——在无外电场或外激发因素时，PN结处于动态平衡没有电流，内部电场E为恒定值，这时空间电荷区内没有载流子，故称为耗尽层。 其他特性： 由于一只二极管就是一个PN结，故二极管的特性与PN结的特性差不多，也同样具有： 单向导电性、温度特性、反向击穿特性 二极管电路分析举例 二极管的选择 ① 要求导通电压低时选锗管，要求反向电流小时选硅管。 ② 要求导通电流大时选平面型，要求反向工作频率高时选点接触型。 ③ 要求反向击穿电压高时选硅管； ④ 要求耐高温时选硅管。 §1.4.6 绝缘栅型场效应晶体管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 2. 耗尽型绝缘栅场效应管 耗尽型 3. 场效应管的主要参数 场效应管与晶体管的比较 3. 三极管内部载流子的运动规律 IC = ICE+ICBO ? ICE IC IB B E C N N P EB RB EC IE IBE ICE ICBO IB = IBE- ICBO ? IBE ICE 与 IBE 之比称为共发射极电流放大倍数 集－射极穿透电流, 温度??ICEO? (常用公式) 若IB =0, 则 IC? ICE0 三极管的放大作用:是在一定的外部条件控制下，通过载流子传输体现出来的。 外部条件： 发射结正偏 集电结反偏 内部载流子的传输过程: 发射区：发射载流子 集电区：收集载流子 基区：传送和控制载流子 1.4.5.3 特性曲线 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。 为什么要研究特性曲线： 1）直