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半导体中的“贵族” 化合物半导体材料 半导体的分类 1.硅（Si）、锗（Ge）等元素半导体——第一代半导体； 2.砷化镓（GaAs）、磷化铟（InP）、磷化镓（GaP）、砷化铟（InAs）、氮化铝（AlN）及其合金——第二代半导体； 3.将宽禁带（Eg＞2.3 ev）的氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）、硒化锌（ZnSe）、氧化锌（ZnO）甚至金刚石等——第三代半导体。 砷化镓的应用领域 1.光伏太阳能产业 2.军事电子产业 3.微电子领域 4.光电子领域 1.光伏太阳能产业 2.军事电子产业 3.微电子领域 手机的网络制式 3G 手机的网络制式 中国移动：2G —— GSM 3G —— TD-SCDMA （T网） 中国联通：2G —— GSM 3G —— WCDMA（W网） 中国电信：2G —— CDMA 3G —— CDMA2000（C网） 2G —— GSM 850/900/1800/1900 MHz 3G —— WCDMA 850/900/2100 MHz 3G —— TD-SCDMA 2010-2025 MHz 3G —— CDMA2000 2110-2125 MHz 4.光电子领域 发光二极管Light-Emitting Diode 是由数层很薄的掺杂半导体材料制成。 当通过正向电流时，n区电子获得能量越过PN结的禁带与p区的空穴复合以光的形式释放出能量。 半导体照明是21世纪最具发展前景的高技术领域之一 光纤通讯 光纤通讯中的发射器 砷化镓与硅的比较 砷化镓材料与Si材料的特性比较 禁带宽度Eg GaAs与Si的晶体结构 GaAs电学性质 电子的速度 有效质量越低，电子速度越快； GaAs中电子有效质量为自由电子的1/15，是硅电子的1/3； 用GaAs制备的晶体管开关速度比硅的快3~4倍； 高频器件，军事上应用。 电子迁移速率 砷化镓和硅的电子迁移率与电场强度的关系 双极性晶体管 NPN型双极性晶体管的典型状态： 在发射结上具有正向偏置，而集集电结具有反向偏置。 砷化镓与硅元件特性比较 GaAs非常适合高频无线通讯 砷化镓相对于硅的优越性 1.工作频率高，Si器件最高工作频率约为4GHz，而GaAs器件可以工作至100GHz； 2.工作速度快，GaAs器件比Si器件工作速度一般高10倍以上，整机系统可以快100倍以上； 3.GaAs器件比Si器件具有更宽的温度特性； 4.GaAs器件比Si器件具有更好的抗辐照特性； 5.GaAs可以制作发光器件，易于实现微电子和光电子的结合，适合制作光电集成电路。 GaAs相对于Si的不足之处 1.Si可以把自己的氧化物形式用作绝缘体，这种绝缘体起着掩膜的作用，对Si提供保护，而砷化镓却无此能力，因而砷化镓器件较难制造，且造价较高； 2.Si的导热能力是砷化镓的2.75倍，因此，用Si电路可实现的封装密度要高于砷化镓电路；另外，砷化物是剧毒物质，即使用量极少，也会在处置和清楚GaAs产品方面产生各种问题； 3.Si是地球上最丰富的元素（仅次于氧），而砷化镓却极其稀少，获取要困难的多。 砷化镓应用领域 太空高效太阳电池　原来人造天体上所用的都是硅的太阳能电池。由于砷化镓太阳能电池的工艺获得突破，现已证明，在太空中使用砷化镓太阳能电池更为合理。最近发射和计划发射的人造天体多使用砷化镓太阳能电池作能源。最引人注目的是美国发射的火星探路者，它使用了砷化镓太阳能电池来驱动自动小车在火星上工作了30天。 军事应用　在海湾战争和科索沃战争中，电子信息技术显示出巨大的威力，其中砷化镓起了不可磨灭的作用。在相控阵雷达、电子对抗、激光描准、夜视、通信等方面，砷化镓器件都起了关键的作用。现在各发达国家都在研究供军事用的砷化镓材料与器件。 移动电话　近些年来移动电话飞速发展，年增长率达两三倍。由于用户的增加和功能的扩大，就必须提高其使用的频率。在较高的频率下，砷化镓器件与硅器件相比.具有使用的电压低、功率效率高、噪声低等优点，而且频率愈高，两种器件在上述性能方面的差距愈大。所以现在移动通信成了砷化镓微波电路的最大用户。 光纤通信　在此种通信中光的发射是要用砷化镓或砷化镓基的激光二极管或发光二极管，由于移动通信和因特网的发展扩大了对光纤通信的需求。 汽车自动化　首先获得应用的是全球定位系统，可以指示给驾驶员关于汽车的方位、合理的行车路线等信息，这也为汽车的无人驾驶提供了前提条件，这套系统主要靠砷化镓的微波器件所支持的。另外已接近商品化的汽车防碰撞装置是以砷化镓微波器件所构成的雷达为核心的。 国内外现