第1章 二维半导体体系(2).pptVIP

高等半导体物理 第一章 二维半导体体系 (2) ? 第二节 整数量子霍尔效应 2 (一) 两种实验方案及其实验结果 一，ρxy ~ VG ( 坐标见图 ) (1)??样品结构和测试条件 1980年春, 德国和英国的物 理学家K.V.Klitzing 等在法 国国家科研中心格林诺菲尔 发现“霍尔平台” 条件: 低温 ( 1 K ), 强磁场 ( 18 T ) 样品: 硅 MOS 表面反型层 ( 样品 1 ) (2) ? 测试结果 ( 电极结构见图 ) * 3 硅表面反型层整数量子霍尔效应 (3)??主要特征 4 1, 霍尔电压 VH 出现一系列平台; 2, 平台处的霍尔电阻率ρyx = VH / IX = 1 / iα ( i = 1, 2, 3 ---- ); 3, 1/α = h / e 2 = 137.035968 此值精确到第七位，被称为精细结构常数， 此量子霍尔电阻被用作为绝对标准电阻; 4, 平台处纵向电压VP 出现接近于零的极小值。 5, VH随 VG 的上升而下降 二， ρxy ~ BZ (1)??样品结构和测试条件 1982年 K. V. Klitzing 又发发表了GaAs / AlGaAs 异质结中 的量子霍尔效应, 测试条件基本同上。 (2)??测试结果 见图 (3)??特征：1- 4 同上, 且更明显; 5, VH 随 BZ 的上升而升高 * 5 GaAs-AlGaAs 界面沟道整数量子霍尔效应 (二)? 整数量子霍尔效应实验结果的解释 6 一, 二维电磁输运 量子霍尔效应是一个二维输运问题， 研究对象是半导体表面沟道中的二维电子 ( 或空穴 ) 气。 在XY平面上，应有 ( J = ? ? ， ? = ρJ ) ? x = ρxx Jx + ρxy Jy ------------- (1) ? y = ρyx Jx + ρyy Jy ------------- (2) 其中， ? 为电场强度，J 为电流线密度，ρ为电阻率， 下标表示方位。 考虑 xy 平面上各向同性的情况 故X、Y轴可以绕 Z 轴旋转 ( 如转90o )， 见图 因此应有 ρxx ( = ρx’x’ ) = ρyy -------------- (3)