高亮度发光二极体.pptVIP

高亮度發光二極體 報告者： 周建樺 林煥智 學號?： 9455457 9455455 綱要 發光二極體之簡介 發光二極體之結構 發光二及體之製程 發光二極體之分類 發光二極體之優缺點 發光二極體之應用範圍 發光二極體之發展趨勢 結論 發光二極體簡介 發光二極體（Light Emitting Diode；LED）是一種冷光發光元件，其發光原理，是在III-V族半導體材料（GaN 、 GaP 、 GaAs等材料系）上施加電流，利用二極體內電子與電洞互相結合而產生光，當能量轉換為光的形式釋出時便可發光 發光二極體基本結構 發光二極體之製程 薄膜沈積 製程目的 ?利用金屬或其他材料阻擋乾蝕刻對P-TYPE的傷害 Dry etching(RIE) 製程目的 ?利用活性離子蝕刻機(Reactive Ion Etching)定義發光區域 After RIE (NO mask) 製程目的 ?將晶片表面作清潔及去氧化物，清除殘餘的MASK Transparent Contact Layer ? ? ? ? 製程目的 ?蒸鍍金屬NiAu均勻擴散電流至整個MESA表面 N? -? BOND? PAD? 製程目的 ?蒸鍍金屬 TiAlNiAu作為封裝製程的打線墊 P? -? BOND? PAD 製程目的 ?蒸鍍金屬 TiAlTiAu作為封裝製程的打線墊 CHIP? 俯視圖 TCL?（傳導電極） 可分為金屬氧化膜與銦錫氧化膜 金屬氧化膜? NiAu(50?-50?) ?鎳/金薄金屬電極是目前最常用在氮化鎵材料上的金屬電極，以往在 ?電極蒸鍍好之後，是在氮氣的環境下做熱處理，利用金屬及氮化鎵材料在接面所產生的化合物，來達成歐姆接觸 ?穿透率量測：前者約60-70% 後者約85-95% TCL? 經過熱處理 TCL 量測 IV?curve（一） TCL 量測 IV?curve（二） 發光二極體之發光 發光二極體之分類 發光二極體之優點 LED 燈泡體積小、多樣色彩、堅固耐震 點亮速度快、混光機能強、單色性佳 消耗功率微小 低電壓/直流電驅動 無熱輻射光 發光二極體之缺點 尚無法由磊晶技術直接成長白光發二極體 目前由於製作白光發光二極體成本太高，故尚未大量進入量產階段 目前白光二極體多使用封裝技術配合螢光粉來使用 發光二極體之應用範圍 紅綠燈 大型跑馬燈 第三煞車燈 大型廣告看板 儀表板背光源 手機背光源 LED? 發展趨勢（一） LED? 發展趨勢（二） 藍光LED可激發螢光粉產生白光，可望取代日光燈，為新世代環保光源，市場商機龐大。 藍紫光雷射二極體可應用在存取資料的讀寫頭上，使得近幾年來光碟機的發明與進步大鳴大放，由讀取到倍速讀取，由錄製到可重複錄製，而重點發展則是將其推往更大的資料儲存容量。 結論： 發光二極體元件的光穿透率改良與PN-PAD金屬選擇(需考慮金屬的功函數) 目前業界著重發光二極體亮度之提升與降低順向工作電壓 將銦錫氧化膜（ITO）應用在LCD或LED上以提升亮度，提高市場競爭力 END Thanks! * * P-type layer? GaN (Mg) Active layer N-type layer GaN(Si) Buffer layer Sapphire 晶圓清洗 薄膜沈積 第一道光罩MESA Dry -etching 化學蝕刻 蒸鍍金屬 Ni/Au 高溫活化 第二道光罩TCL 蒸鍍金屬 TiAlNiAu 第三道光罩 N-PAD 化學蝕刻 第四道光罩P-PAD 化學蝕刻 Lift-off 薄膜沈積 第五道光罩 Passivation 化學蝕刻 Lapping Cutting 晶粒篩選 蒸鍍金屬 TiAlTiAu Active layer SiOx mask P-TYPE N-TYPE Sapphire Active layer SiOx mask P-TYPE N-TYPE Sapphire Active layer P-TYPE N-TYPE Sapphire Active layer P-TYPE N-TYPE Sapphire TCL Active layer P-TYPE N-TYPE Sapphire TCL N-PAD Active layer P-TYPE N-TYPE Sapphire TCL N-PAD P-PAD MESA TCL N-PAD P-PAD Passivation 金屬膜厚對特徵接觸電阻之關係圖 合金溫度對特徵接觸電阻之關係圖 *