半导体材料第5讲硅、锗晶体中的杂质.ppt

* 为了获取径向电阻率均匀的单晶，必须调平固液界面。采用的方法有： ①调整晶体生长热系统，使热场的径向温度梯度变小。 ②调节拉晶运行参数， 例如对凸向熔体的界面，增加拉速，使晶体凝固速度增加，这时由于在界面上放出的结晶潜热增大，界面附近熔体温度升高，结果熔化界面处一部分晶体，使界面趋于平坦。 反之，如生长界面凹向熔体，可降低生长速度，熔体会凝固一个相应的体积，使生长界面趋于平坦。 ③调整晶体或坩埚的转速 增加晶体转速会使固液界面由下向上运动的高温液流增大，使界面由凸变凹。 坩埚转动引起的液流方向与自然对流相同，所起的效果与晶体转动完全相反。 ④增大坩埚内径与晶体直径的比值，会使固液界面变平，还能使位错密度及晶体中氧含量下降，一般令坩埚直径：晶体直径=3～2.5：1。 (2)小平面效应的影响。 晶体生长的固液界面，由于受坩埚中熔体等温线的限制，常常是弯曲的。如果在晶体生长时迅速提起晶体，则在(111)的锗、硅单晶的固液界面会出现一小片平整的平面，它是(111)原子密排面，通常称之为小平面。 在小平面区杂质浓度与非小平面区有很大差异，这种杂质在小平面区域中分布异常的现象叫小平面效应。 由于小平面效应，小平面区域电阻率会降低，严重时会出现杂质管道芯。 为了消除小平面效应带来的径向电阻率不均匀性，需将固液界面调平。 二、水平区熔拉晶时杂质的控制(区域匀平法) 在用水平区熔法生长单晶时的掺杂，是把杂质放在籽晶与料锭之间，随着熔区的移动使杂质分布在整个晶锭中。利用这种方法可以得到比较均匀的电阻率分布，因此又称区域匀平法 区熔法拉晶的径向电阻率均匀性也与固液界面形状有关。 如交界面与生长方向垂直、平坦，则电阻率均匀，但往往由于在水平区熔舟内熔体的流动情况不同，在舟底部熔体受舟壁的阻碍流动较慢，而使它杂质含量较多，因此在长成的晶体横截面上呈现上部电阻率高，底部低状态。 通过加强熔区搅拌，生长速率放慢，调整热场使温度对材料锭分布对称等办法，均有助于径向电阻率均匀性的改进。 晶体中的条纹和夹杂 1．杂质条纹 由熔体生长Si，Ge及化合物半导体晶体，如果沿着其纵、横剖面进行性能检测，会发现它们的电阻率、载流子寿命以及其他物理性能出现起伏。 当用化学腐蚀时，其腐蚀速度也出现起伏，最后表面出现宽窄不一的条纹。这些条纹是由于晶体中杂质浓度的起伏造成的，因此又称为杂质条纹。 晶体中杂质浓度会出现起伏的原因： 由杂质分凝可知，晶体中杂质浓度Cs=KeffCL，在一个不太长的时间间隔内，CL可近似认为不变。因此，Keff的变化直接决定着晶体中杂质的浓度。 由于Keff与生长速率f和扩散层厚度δ有关，如直拉法晶转速一定，d也一定，那么Keff的起伏直接与生长速率的起伏有关。事实上，正是晶体生长速率的微起伏，造成了晶体中杂质浓度的起伏。 晶体生长速率起伏的原因主要有： (1)由于单晶炉的机械蠕动和机械振动，使提拉或熔区移动速率产生无规则的起伏。这时产生的杂质条纹叫间歇式条纹。 (2)由于晶体转轴和温度场轴不同轴，使生长速率发生起伏 (3)由于加热器功率或热量损耗(如水冷、气流状况)的瞬间变化引起生长速率的变化也会出现杂质条纹。 (4)由于液流状态非稳流动，熔体内温度产生规则或不规则的起伏，从而引起生长速率的起伏产生杂质条纹。 杂质条纹的存在使材料的微区电性质发生较大的差异，这对大规模集成电路的制作是十分不利的。 消除办法：可以将掺杂的单晶在一定温度下退火，使一部分浓度较高的杂质条纹衰减。另一方法是采用中子嬗变法生产N型硅单晶，或在无重力条件下(太空实验室)，磁场抑制自然对流引起的熔体温度波动可消除一部分杂质条纹。 五、硅、锗单晶中有害杂质的防止 硅单晶中的重金属元素Cu、Fe、Ni、Mn、Au、Ti；碱金属Li, Na, K；非金属C、O等对器件性能有重大影响。 重金属大都是快扩散杂质，而且溶解度随温度下降变得很小，它们易在器件降温时沉积在PN结、Si—SiO2界面、位错、层错等处，使器件漏电流增大，出现低软击穿。它们还能起复合中心或陷阱作用，降低少子寿命、影响器件的放大系数、反向电流等指标。 碱金属杂质Li、Na、K等能在平面工艺SiO2绝缘膜中引入不稳定的正电荷，在硅的内表面形成空间电荷层或反型层引起表面沟道效应，产生很大的漏电流。 以上这些杂质，除了在多晶硅生产时要尽量降低外，在单晶生长工艺，如多晶腐蚀，清洗，装炉等过程中要严加防范，减少有害杂质的沾污。 硅单晶中的氧含量，通常为2×1015～5×1017cm-3。直拉单晶因高温时，硅与石英坩埚作用(Si十SiO2—2SiO)，