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 二极管 1.二极管的构成 在半导体材料硅或锗晶体中掺入三价元素杂质可构成缺壳粒的P型半导体，掺入五价元素杂质可构成多余壳粒的N形半导体。两种半导体接触在一起的点或面构成PN结，由PN结构成二极管。 2.二极管的符号： 普通二极管 发光二极管 精选 * 稳压二极管 变容二极管 双向击穿二极管 双向二极管 精选 * 3.二极管的类型 二极管种类有很多，按照所用的半导体材料，可分为锗二极管（Ge管）和硅二极管（Si管）。根据其不同用途，可分为检波二极管、整流二极管、稳压二极管、开关二极管等。按照管芯结构，又可分为点接触型二极管、面接触型二极管及平面型二极管。 精选 * 在电子电路中，将二极管的正极接在高电位端，负极接在低电位端，二极管就会导通，这种连接方式，称为正向偏置。必须说明，当加在二极管两端的正向电压很小时，二极管仍然不能导通，流过二极管的正向电流十分微弱。只有当正向电压达到某一数值（这一数值称为“门槛电压”，锗管约为0.2V，硅管约为0.6V）以后，二极管才能真正导通。导通后二极管两端的电压基本上保持不变（锗管约为0.3V，硅管约为0.7V），称为二极管的“正向压降”。 4. 二极管的导电特性 （1）正向特性 精选 * （2）反向特性 在电子电路中，二极管的正极接在低电位端，负极接在高电位端，此时二极管中几乎没有电流流过，此时二极管处于截止状态，这种连接方式，称为反向偏置。二极管处于反向偏置时，仍然会有微弱的反向电流流过二极管，称为漏电流。当二极管两端的反向电压增大到某一数值，反向电流会急剧增大，二极管将失去单方向导电特性，这种状态称为二极管的击穿。 精选 * 5. 二极管的主要参数 用来表示二极管的性能好坏和适用范围的技术指标，称为二极管的参数。不同类型的二极管有不同的特性参数。 （1）额定正向工作电流 是指二极管长期连续工作时允许通过的最大正向电流值。因为电流通过管子时会使管芯发热，温度上升，温度超过容许限度（硅管为140℃左右，锗管为90 ℃左右）时，就会使管芯过热而损坏。所以，二极管使用中不要超过二极管额定正向工作电流值。例如，常用的1N4001－4007型锗二极管的额定正向工作电流为1A。 精选 * （2）最高反向工作电压 加在二极管两端的反向电压高到一定值时，会将管子击穿，失去单向导电能力。为了保证使用安全，规定了最高反向工作电压值。例如，1N4001二极管反向耐压为50V，1N4007反向耐压为1000V。 （3）反向电流 指二极管在未击穿时的反向电流。其值越小，管子的单向导电性能越好。值得注意的是反向电流与温度有着密切的关系，大约温度每升高10 ℃ ，反向电流增大一倍。 精选 * 例如2AP1型锗二极管，在25 ℃时反向电流若为250uA，温度升高到35 ℃ ，反向电流将上升到500uA，依此类推，在75 ℃时，它的反向电流已达8mA，不仅失去了单方向导电特性，还会使管子过热而损坏。又如，2CP10型硅二极管，25 ℃时反向电流仅为5uA，温度升高到75 ℃时，反向电流也不过160uA。故硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 精选 * 6.二极管的命名规则 不同国家对二极管的命名规则有所不同，下面我们简单介绍一下中国和美国对二极管的命名规则： （1）中国半导体器件型号命名方法 中国的半导体器件型号由五个部分组成： 第一部分：用数字表示半导体器件有效电极数目。 2 —— 二极管 3 —— 三极管 第二部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的材料 和极性。 精选 * 表示二极管时：A —— N型锗材料 B —— P型锗材料 C —— N型硅材料 D —— P型硅材料 表示三极管时：A —— PNP型锗材料 B —— NPN型锗材料 C —— PNP型硅材料 D —— NPN型硅材料  精选 * 第三部分：用汉语拼音字母表示半导体器件的类型 P —— 普通管 W —— 稳压管 Z —— 整流管 N —— 阻尼管 K —— 开关管 X —— 低频小功率管 G —— 高频小功率管 D —— 低频大功率管 A —— 高频大功率管 精选 * 第四部分：用数字表示序号 第五部分：用汉语拼音字母表示规格号 例如: 2AP9A —— 普通锗二极管 （2）美国半导体分立器件型号命名方法