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- 2019-10-17 发布于湖北
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* * * * * * * * * * * * * * 画图说明。 * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * * E与x的函数关系E(x),称为能谱仪的能量刻度曲线。借助于一组已知能量的辐射源进行能量刻度,而得到一条能量刻度曲线。横坐标为道址x,纵坐标为入射粒子的能量E。 * * 2. ?能谱的测量 1) 能量分辨率 以金硅面垒半导体探测器为例。 210Po的E?=5.3MeV,?E=15.8keV * 2) ?能谱仪的能量刻度 在测得输出脉冲幅度谱后,必须进行能量刻度,才能确定?粒子的能量。借助一组已知能量的?源进行能量刻度,得到一条能量刻度曲线。根据脉冲幅度分布的中心位置道址求出?粒子的能量。 对于?粒子能谱的测量,要考虑到?粒子与物质相互作用的特点,并尽量选择能量分辨率较好及使用较方便的探测器。 3) 探测器的选择 金硅面垒半导体探测器;屏栅电离室;带窗的正比计数器等。 * 由于?能谱是连续谱,仅存在E?max,给测量带来困难。 1)精确测定?粒子能谱(如采用磁谱仪),用居里描绘而求出E?max。也可用半导体探测器,由于存在散射,会使谱形畸变,而影响测量结果。 3. ?能谱的测量 2)
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