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NANO COMMUNICATION 24 No. 4
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Technologies of GaN Devices on Silicon for
RF Applications
Abstract
The study presents our recent technology development of GaN-on-Si RF devices. The
layer structure and device fabrication are discussed, which include different technologies
of GaN-based heterostructures and applications of ohmic and Schottky contacts. The
novel technologies of hybrid-drain structure and silicon substrate partial removal for
achieving high speed GaN-on-Si HEMTs are proposed. Finally, the parasitic substrate
effect on device speed is discussed by using the small-signal equivalent circuit model.
Keywords
Gallium Nitride (GaN) High electron mobility Transistor (HEMT) Radio
Frequency Power amplifier
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1/
(Gallium Nitride, GaN) (Nucleation Layer)(Buffer Layer)
(Channel Layer)
(~ 3.42 eV) (~ 2.7 107 cm/s) (Barrier Layer)
(~ 3.3 MV/cm)(Two-dimensional /
Electron Gas, 2DEG)(~ 2000 cm2/ (~
1 1013 cm-2)
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